3D integration technology for silicon spin qubits

Lambert-W function-based parameter extraction for FDSOI MOSFETs down to deep cryogenic temperatures

Autoren: F. Serra di Santa Maria, L. Contamin, B. Cardoso Paz, M. Cassé, C. Theodorou, F. Balestra, G. Ghibaudo
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 186, 2025, Seite(n) 108175, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2021.108175

Statistical and Electrical Modeling of FDSOI Four-Gate Qubit MOS Devices at Room Temperature

Autoren: Edoardo Catapano, Gerard Ghibaudo, Mikael Casse, Tadeu Mota Frutuoso, Bruna Cardoso Paz, Thomas Bedecarrats, Agostino Apra, Fred Gaillard, Silvano De Franceschi, Tristan Meunier, Maud Vinet
Veröffentlicht in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Ausgabe 9, 2021, Seite(n) 582-590, ISSN 2168-6734
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/jeds.2021.3082201

Dispersively Probed Microwave Spectroscopy of a Silicon Hole Double Quantum Dot

Autoren: R. Ezzouch; Simon Zihlmann; Vincent P. Michal; Jing Li; A. Apra; Benoit Bertrand; Louis Hutin; Maud Vinet; Matias Urdampilleta; Tristan Meunier; Xavier Jehl; Yann-Michel Niquet; Marc Sanquer; Silvano De Franceschi; Romain Maurand
Veröffentlicht in: https://hal.science/hal-03376661, Ausgabe 5, 2021, ISSN 2331-7019
Herausgeber: APS
DOI: 10.48550/arxiv.2012.15588

Controlled quantum dot array segmentation via highly tunable interdot tunnel coupling

Autoren: Martin Nurizzo, Baptiste Jadot, Pierre-André Mortemousque, Vivien Thiney, Emmanuel Chanrion, Matthieu Dartiailh, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck, Christopher Bäuerle, Matias Urdampilleta, Tristan Meunier
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 121, 2023, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0105635

Broadband parametric amplification for multiplexed SiMOS quantum dot signals

Autoren: Victor Elhomsy, Luca Planat, David J. Niegemann, Bruna Cardoso-Paz, Ali Badreldin, Bernhard Klemt, Vivien Thiney, Renan Lethiecq, Eric Eyraud, Matthieu C. Dartiailh, Benoit Bertrand, Heimanu Niebojewski, Christopher Bäuerle, Maud Vinet, Tristan Meunier, Nicolas Roch, Matias Urdampilleta
Veröffentlicht in: Physical Review Applied, Ausgabe 24, 2025, ISSN 2331-7019
Herausgeber: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/sj8d-x674

Strong coupling between a photon and a hole spin in silicon

Autoren: Cécile X Yu, Simon Zihlmann, José C Abadillo-Uriel, Vincent P Michal, Nils Rambal, Heimanu Niebojewski, Thomas Bedecarrats, Maud Vinet, Étienne Dumur, Michele Filippone, Benoit Bertrand, Silvano De Franceschi, Yann-Michel Niquet, Romain Maurand
Veröffentlicht in: Nature Nanotechnology, 2023, ISSN 1748-3387
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41565-023-01332-3

Semiconductor qubits in practice

Autoren: Anasua Chatterjee; Paul G. Stevenson; Silvano De Franceschi; Andrea Morello; Nathalie P. de Leon; Ferdinand Kuemmeth
Veröffentlicht in: Nature Reviews Physics, Ausgabe 7, 2020, ISSN 2522-5820
Herausgeber: Nature Portfolio
DOI: 10.1038/s42254-021-00283-9

Charge Detection in an Array of CMOS Quantum Dots

Autoren: Emmanuel Chanrion, David J. Niegemann, Benoit Bertrand, Cameron Spence, Baptiste Jadot, Jing Li, Pierre-André Mortemousque, Louis Hutin, Romain Maurand, Xavier Jehl, Marc Sanquer, Silvano De Franceschi, Christopher Bäuerle, Franck Balestro, Yann-Michel Niquet, Maud Vinet, Tristan Meunier, Matias Urdampilleta
Veröffentlicht in: Physical Review Applied, Ausgabe 14/2, 2020, ISSN 2331-7019
Herausgeber: APS
DOI: 10.1103/physrevapplied.14.024066

Combining multiplexed gate-based readout and isolated CMOS quantum dot arrays

Autoren: Pierre Hamonic, Martin Nurizzo, Jayshankar Nath, Matthieu C. Dartiailh, Victor Elhomsy, Mathis Fragnol, Biel Martinez, Pierre-Louis Julliard, Bruna Cardoso Paz, Mathilde Ouvrier-Buffet, Jean-Baptiste Filippini, Benoit Bertrand, Heimanu Niebojewski, Christopher Bäuerle, Maud Vinet, Franck Balestro, Tristan Meunier, Matias Urdampilleta
Veröffentlicht in: Nature Communications, Ausgabe 16, 2025, ISSN 2041-1723
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-025-61556-w

The 2021 quantum materials roadmap

Autoren: eliciano Giustino, Jin Hong Lee, Felix Trier, Manuel Bibes, Stephen M Winter, Roser Valentí, Young-Woo Son, Louis Taillefer, Christoph Heil, Adriana I Figueroa, Bernard Plaçais, QuanSheng Wu, Oleg V Yazyev, Erik PAM Bakkers, Jesper Nygård, Pol Forn-Díaz, Silvano De Franceschi, JW McIver, LEF Foa Torres, Tony Low, Anshuman Kumar, Regina Galceran, Sergio O Valenzuela, Marius V Costache, Aurélie
Veröffentlicht in: JPhys Materials, 2021, ISSN 2515-7639
Herausgeber: IOP Publishing, 2018-
DOI: 10.1088/2515-7639/abb74e

Optimal operation of hole spin qubits

Autoren: M. Bassi, E. A. Rodríguez-Mena, B. Brun, S. Zihlmann, T. Nguyen, V. Champain, J. C. Abadillo-Uriel, B. Bertrand, H. Niebojewski, R. Maurand, Y.-M. Niquet, X. Jehl, S. De Franceschi, V. Schmitt
Veröffentlicht in: Nature Physics, Ausgabe 22, 2026, Seite(n) 75-80, ISSN 1745-2473
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41567-025-03106-1

"Tunable hole spin-photon interaction based on <math><mi mathvariant=""monospace"">g</mi></math>-matrix modulation"

Autoren: V. P. Michal; J. C. Abadillo-Uriel; S. Zihlmann; R. Maurand; Y.-M. Niquet; M. Filippone
Veröffentlicht in: "Phys.Rev.B, 2023, 107 (4), pp.L041303. ⟨10.1103/PhysRevB.107.L041303⟩", Ausgabe 1, 2023, ISSN 2469-9950
Herausgeber: APS
DOI: 10.48550/arxiv.2204.00404

A single hole spin with enhanced coherence in natural silicon

Autoren: Nicolas Piot, B Brun, Vivien Schmitt, Simon Zihlmann, VP Michal, A Apra, JC Abadillo-Uriel, Xavier Jehl, Benoit Bertrand, H Niebojewski, L Hutin, M Vinet, M Urdampilleta, Tristan Meunier, Y-M Niquet, Romain Maurand, S De Franceschi
Veröffentlicht in: Nature Nanotechnology, 2022, ISSN 1748-3387
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41565-022-01196-z

Electrical manipulation of a single electron spin in CMOS using a micromagnet and spin-valley coupling

Autoren: Bernhard Klemt, Victor Elhomsy, Martin Nurizzo, Pierre Hamonic, Biel Martinez, Bruna Cardoso Paz, Cameron Spence, Matthieu C. Dartiailh, Baptiste Jadot, Emmanuel Chanrion, Vivien Thiney, Renan Lethiecq, Benoit Bertrand, Heimanu Niebojewski, Christopher Bäuerle, Maud Vinet, Yann-Michel Niquet, Tristan Meunier, Matias Urdampilleta
Veröffentlicht in: npj Quantum Information, Ausgabe 9, 2023, ISSN 2056-6387
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/s41534-023-00776-8

Probing Low-Frequency Charge Noise in Few-Electron CMOS Quantum Dots

Autoren: Cameron Spence, Bruna Cardoso Paz, Vincent Michal, Emmanuel Chanrion, David J. Niegemann, Baptiste Jadot, Pierre-André Mortemousque, Bernhard Klemt, Vivien Thiney, Benoit Bertrand, Louis Hutin, Christopher Bäuerle, Maud Vinet, Yann-Michel Niquet, Tristan Meunier, and Matias Urdampilleta
Veröffentlicht in: Phys. Rev. Applied, 2023, ISSN 2331-7019
Herausgeber: APS
DOI: 10.1103/physrevapplied.19.044010

The germanium quantum information route

Autoren: Giordano Scappucci, Christoph Kloeffel, Floris A Zwanenburg, Daniel Loss, Maksym Myronov, Jian-Jun Zhang, Silvano De Franceschi, Georgios Katsaros, Menno Veldhors
Veröffentlicht in: Nature Reviews Materials, 2021, ISSN 2058-8437
Herausgeber: Nature Portfolio
DOI: 10.1038/s41578-020-00262-z

Real-time millikelvin thermometry in a semiconductor-qubit architecture

Autoren: V. Champain, V. Schmitt, B. Bertrand, H. Niebojewski, R. Maurand, X. Jehl, C.B. Winkelmann, S. De Franceschi, B. Brun
Veröffentlicht in: Physical Review Applied, Ausgabe 21, 2024, ISSN 2331-7019
Herausgeber: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/physrevapplied.21.064039

Longitudinal and transverse electric field manipulation of hole spin-orbit qubits in one-dimensional channels

Autoren: Vincent P. Michal; Benjamin Venitucci; Yann-Michel Niquet
Veröffentlicht in: Physical Review B, Ausgabe 1, 2020, ISSN 2469-9950
Herausgeber: APS
DOI: 10.1103/physrevb.103.045305

Parametric longitudinal coupling of a semiconductor charge qubit and an rf resonator

Autoren: V. Champain, S. Zihlmann, A. Chessari, B. Bertrand, H. Niebojewski, É. Dumur, X. Jehl, V. Schmitt, B. Brun, C. Winkelmann, Y.M. Niquet, M. Filippone, S. De Franceschi, R. Maurand
Veröffentlicht in: Physical Review Applied, Ausgabe 23, 2025, ISSN 2331-7019
Herausgeber: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/physrevapplied.23.034067

Scaling silicon-based quantum computing using CMOS technology

Autoren: M. F. Gonzalez-Zalba, S. de Franceschi, E. Charbon, T. Meunier, M. Vinet, A. S. Dzurak
Veröffentlicht in: Nature Electronics, Ausgabe 4, 2024, Seite(n) 872-884, ISSN 2520-1131
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/s41928-021-00681-y

Parity and Singlet-Triplet High-Fidelity Readout in a Silicon Double Quantum Dot at 0.5 K

Autoren: David J. Niegemann, Victor El-Homsy, Baptiste Jadot, Martin Nurizzo, Bruna Cardoso-Paz, Emmanuel Chanrion, Matthieu Dartiailh, Bernhard Klemt, Vivien Thiney, Christopher Bäuerle, Pierre-André Mortemousque, Benoit Bertrand, Heimanu Niebojewski, Maud Vinet, Franck Balestro, Tristan Meunier, Matias Urdampilleta
Veröffentlicht in: PRX Quantum, Ausgabe 3, 2022, ISSN 2691-3399
Herausgeber: American Physical Society (APS)
DOI: 10.1103/prxquantum.3.040335

Spin-Valley Coupling Anisotropy and Noise in CMOS Quantum Dots

Autoren: Cameron Spence; Bruna Cardoso Paz; Bernhard Klemt; Emmanuel Chanrion; David J. Niegemann; Baptiste Jadot; Vivien Thiney; Benoit Bertrand; Heimanu Niebojewski; Pierre-André Mortemousque; Xavier Jehl; Romain Maurand; Silvano De Franceschi; Maud Vinet; Franck Balestro; Christopher Bäuerle; Yann-Michel Niquet; Tristan Meunier; Matias Urdampilleta
Veröffentlicht in: ISSN: 2331-7019, Ausgabe 3, 2022, ISSN 2331-7019
Herausgeber: APS
DOI: 10.48550/arxiv.2109.13557

Comprehensive Kubo-Greenwood modelling of FDSOI MOS devices down to deep cryogenic temperatures

Autoren: F. Serra di Santa Maria, L. Contamin, M. Cassé, C. Theodorou, F. Balestra, G. Ghibaudo
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 192, 2025, Seite(n) 108271, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2022.108271

Front and back channels coupling and transport on 28 nm FD-SOI MOSFETs down to liquid-He temperature

Autoren: Bruna Cardoso Paz, Mikaël Cassé, Sebastien Haendler, Andre Juge, Emmanuel Vincent, Philippe Galy, Franck Arnaud, Gérard Ghibaudo, Maud Vinet, Silvano de Franceschi, Tristan Meunier, Fred Gaillard
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 186, 2025, Seite(n) 108071, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2021.108071

Low-power transimpedance amplifier for cryogenic integration with quantum devices

Autoren: L. Le Guevel, G. Billiot, B. Cardoso Paz, M. L. V. Tagliaferri, S. De Franceschi, R. Maurand, M. Cassé, M. Zurita, M. Sanquer, M. Vinet, X. Jehl, A. G. M. Jansen, G. Pillonnet
Veröffentlicht in: Applied Physics Reviews, Ausgabe 7, 2025, ISSN 1931-9401
Herausgeber: AIP Publishing LLC
DOI: 10.1063/5.0007119

Cryogenic MOSFET Subthreshold Current: From Resistive Networks to Percolation Transport in 1-D Systems

Autoren: E. Catapano, M. Cassé, G. Ghibaudo
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 70, 2024, Seite(n) 4049-4054, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/ted.2023.3283941

Impedancemetry of multiplexed quantum devices using an on-chip cryogenic complementary metal-oxide-semiconductor active inductor

Autoren: L. Le Guevel, G. Billiot, S. De Franceschi, A. Morel, X. Jehl, A.G.M. Jansen, G. Pillonnet
Veröffentlicht in: Chip, Ausgabe 2, 2025, Seite(n) 100068, ISSN 2709-4723
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.chip.2023.100068

Scaling silicon-based quantum computing using CMOS technology: State-of-the-art, Challenges and Perspectives

Autoren: Gonzalez-Zalba, M.F.; de Franceschi, S.; Charbon, E.; Meunier, Tristan; Vinet, M.; Dzurak, A.S.
Veröffentlicht in: Nature Electronics, Ausgabe 5, 2021, ISSN 2520-1131
Herausgeber: Nature Portfolio
DOI: 10.48550/arxiv.2011.11753

Complete Readout of Two-Electron Spin States in a Double Quantum Dot

Autoren: Martin Nurizzo, Baptiste Jadot, Pierre-André Mortemousque, Vivien Thiney, Emmanuel Chanrion, David Niegemann, Matthieu Dartiailh, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck, Christopher Bäuerle, Matias Urdampilleta, and Tristan Meunier
Veröffentlicht in: PRX Quantum`, 2023, ISSN 2691-3399
Herausgeber: APS
DOI: 10.1103/prxquantum.4.010329

Hole-phonon interactions in quantum dots: Effects of phonon confinement and encapsulation materials on spin-orbit qubits

Autoren: Jing Li; Benjamin Venitucci; Yann-Michel Niquet
Veröffentlicht in: Physical Review B, Ausgabe 1, 2023, ISSN 2469-9950
Herausgeber: APS
DOI: 10.48550/arxiv.2003.07592

TCAD simulations of FDSOI devices down to deep cryogenic temperature

Autoren: E. Catapano, M. Cassé, F. Gaillard, S. de Franceschi, T. Meunier, M. Vinet, G. Ghibaudo
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 194, 2023, Seite(n) 108319, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2022.108319

Self-Heating Effects in FDSOI Transistors at Cryogenic Temperature: A Spatial and Temporal Experimental Study (Invited)

Autoren: Mikaël Cassé, Flávio Enrico Bergamaschi, Quentin Berlingard
Veröffentlicht in: 2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2025, Seite(n) 01-07
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/irps48204.2025.10983307

Gate reflectometry for probing charge and spin states in linear Si MOS split-gate arrays

Autoren: L. Hutin, T. Lundberg, A. Chatterjee, A. Crippa, J. Li, R. Maurand, X. Jehl, M. Sanquer, M. F. Gonzalez-Zalba, F. Kuemmeth, Y.-M. Niquet, B. Bertrand, S. De Franceschi, M. Urdampilleta, T. Meunier, M. Vinet, E. Chanrion, H. Bohuslavskyi, F. Ansaloni, T.-Y. Yang, J. Michniewicz, D. J. Niegemann, C. Spence
Veröffentlicht in: 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2019, Seite(n) 37.7.1-37.7.4, ISBN 978-1-7281-4032-2
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/iedm19573.2019.8993580

Transport characterization of CMOS-based devices fabricated with isotopically-enriched <sup>28</sup>Si for spin qubit applications

Autoren: G. Elbaz, M. Cassé, V. Labracherie, G. Roussely, B. Bertrand, H. Niebojewski, M. Vinet, F. Balestro, M. Urdampilleta, T. Meunier, B. Cardoso Paz
Veröffentlicht in: ESSDERC 2023 - IEEE 53rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2024, Seite(n) 5-8
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/essderc59256.2023.10268523

Transport Characterization and Quantum Dot Coupling in Commercial 22FDX®

Autoren: G.A. Elbaz, P.-L. Julliard, M. Cassé, H. Niebojewski, B. Bertrand, G. Roussely, V. Labracherie, M. Vinet, B. C. Paz, T. Meunier
Veröffentlicht in: 2025 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2025, Seite(n) 1-4
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/sispad66650.2025.11186314

A new FDSOI spin qubit platform with 40nm effective control pitch

Autoren: T Bédécarrats, B Cardoso Paz, B Martinez Diaz, H Niebojewski, B Bertrand, N Rambal, C Comboroure, A Sarrazin, F Boulard, E Guyez, J-M Hartmann, Y Morand, A Magalhaes-Lucas, E Nowak, E Catapano, M Cassé, M Urdampilleta, Y-M Niquet, F Gaillard, S De Franceschi, T Meunier, M Vinet
Veröffentlicht in: 2021, ISBN 978-1-6654-2572-8
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/iedm19574.2021.9720497

Tunnel and capacitive coupling optimization in FDSOI spin-qubit devices

Autoren: B. Bertrand, B. Martinez, J. Li, B. Cardoso Paz, V. Millory, V. Labracherie, L. Brévard, H. Sahin, G. Roussely, A. Sarrazin, T. Meunier, M. Vinet, Y.-M. Niquet, B. Brun, R. Maurand, S. De Franceschi, H. Niebojewski
Veröffentlicht in: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024, Seite(n) 1-4
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/iedm45741.2023.10413763

A Cryogenic Active Router for Qubit Array Biasing from DC to 320 MHz at 100 nm Gate Pitch

Autoren: Baptiste Jadot, Marcos Zurita, Gérard Billiot, Yvain Thonnart, Loїck Le Guevel, Mathieu Darnas, Candice Thomas, Jean Charbonnier, Tristan Meunier, Maud Vinet, Franck Badets, Gaël Pillonnet
Veröffentlicht in: ESSCIRC 2023- IEEE 49th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2024, Seite(n) 157-160
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/esscirc59616.2023.10268775

Integrated Variability Measurements of 28 nm FDSOI MOSFETs down to 4.2 K for Cryogenic CMOS Applications

Autoren: Bruna Cardoso Paz, Loick Le Guevel, Mikael Casse, Gerard Billiot, Gael Pillonnet, Aloysius Jansen, Sebastien Haendler, Andre Juge, Emmanuel Vincent, Philippe Galy, Gerard Ghibaudo, Maud Vinet, Silvano de Franceschi, Tristan Meunier, Fred Gaillard
Veröffentlicht in: 2020 IEEE 33rd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2020, Seite(n) 1-5, ISBN 978-1-7281-4008-7
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/icmts48187.2020.9107906

Variability Evaluation of 28nm FD-SOI Technology at Cryogenic Temperatures down to 100mK for Quantum Computing

Autoren: B. Cardoso Paz, L. Le Guevel, M. Casse, G. Billiot, G. Pillonnet, A. G. M. Jansen, R. Maurand, S. Haendler, A. Juge, E. Vincent, P. Galy, G. Ghibaudo, M. Vinet, S. de Franceschi, T. Meunier, F. Gaillard
Veröffentlicht in: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2024, Seite(n) 1-2
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265034

Challenges and perspectives in the modeling of spin qubits

Autoren: Y. M. Niquet, L. Hutin, B. Martinez Diaz, B. Venitucci, J. Li, V. Michal, G. Troncoso Fernandez-Bada, H. Jacquinot, A. Amisse, A. Apra, R. Ezzouch, N. Piot, E. Vincent, C. Yu, S. Zihlmann, B. Brun-Barriere, V. Schmitt, E. Dumur, R. Maurand, X. Jehl, M. Sanquer, B. Bertrand, N. Rambal, H. Niebojewski, T. Bedecarrats, M. Casse, E. Catapano, P. A. Mortemousque, C. Thomas, Y. Thonnart, G. Billiot, A.
Veröffentlicht in: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, Seite(n) 30.1.1-30.1.4
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/iedm13553.2020.9371962

Die-to-Wafer 3D Interconnections Operating at Sub-Kelvin Temperatures for Quantum Computation

Autoren: Candice Thomas, Jean Charbonnier, Arnaud Garnier, Nicolas Bresson, Frank Fournel, Sebastien Renet, Remi Franiatte, Nadine David, Vivien Thiney, Matias Urdampilleta, Tristan Meunier, Maud Vinet
Veröffentlicht in: 2020 IEEE 8th Electronics System-Integration Technology Conference (ESTC), 2022, Seite(n) 1-7
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/estc48849.2020.9229657

FDSOI for cryoCMOS electronics: device characterization towards compact model

Autoren: M. Casse, B. Cardoso Paz, F. Bergamaschi, G. Ghibaudo, F. Serra, G. Billiot, A. G. M. Jansen, Q. Berlingard, S. Martinie, T. Bedecarrats, L. Contamin, A. Juge, E. Vincent, P. Galy, M.A Pavanello, M. Vinet, T. Meunier, F. Gaillard
Veröffentlicht in: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024, Seite(n) 34.6.1-34.6.4
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/iedm45625.2022.10019322

19.2 A 110mK 295µW 28nm FDSOI CMOS Quantum Integrated Circuit with a 2.8GHz Excitation and nA Current Sensing of an On-Chip Double Quantum Dot

Autoren: Loick Le Guevel, Gerard Billiot, Xavier Jehl, Silvano De Franceschi, Marcos Zurita, Yvain Thonnart, Maud Vinet, Marc Sanquer, Romain Maurand, Aloysius G. M. Jansen, Gael Pillonnet
Veröffentlicht in: 2020 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC), 2020, Seite(n) 306-308, ISBN 978-1-7281-3205-1
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/isscc19947.2020.9063090

FDSOI Platform for Quantum Computing

Autoren: B. C. Paz, G. A. Elbaz, M. Ouvrier-Buffet, M. Cassé, F. E. Bergamaschi, J.B. Filippini, J. J. Suarez Berru, P. L. Julliard, B. Martinez I Diaz, B. Klemt, V. El-Homsy, V. Champain, V. Millory, R. Lethiecq, V. Labracherie, G. Roussely, B. Bertrand, H. Niebojewski, F. Badets, M. Urdampilleta, S. De Franceschi, T. Meunier, M. Vinet
Veröffentlicht in: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025, Seite(n) 1-4
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/iedm50854.2024.10873521

Performance and Low-Frequency Noise of 22-nm FDSOI Down to 4.2 K for Cryogenic Applications

Autoren: Bruna Cardoso Paz, Mikael Casse, Christoforos Theodorou, Gerard Ghibaudo, Thorsten Kammler, Luca Pirro, Maud Vinet, Silvano de Franceschi, Tristan Meunier, Fred Gaillard
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, Seite(n) 1-5, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/ted.2020.3021999

Cryogenic Operation of Thin-Film FDSOI nMOS Transistors: The Effect of Back Bias on Drain Current and Transconductance

Autoren: M. Casse, B. Cardoso Paz, G. Ghibaudo, T. Poiroux, S. Barraud, M. Vinet, S. de Franceschi, T. Meunier, F. Gaillard
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, Seite(n) 1-5, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/ted.2020.3022607

Low Temperature Characterization and Modeling of FDSOI Transistors for Cryo CMOS Applications

Autoren: Mikaël Cassé, Gérard Ghibaudo
Veröffentlicht in: Low-Temperature Technologies and Applications, 2022
Herausgeber: IntechOpen
DOI: 10.5772/intechopen.98403

Veröffentlichungen

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