PCB busbar optimization for distributed DC link capacitors and parallel discrete SiC MOSFETs
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Betha, H.V., Odavic, M. and Atallah, K.
Opublikowane w:
2023 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Numer 29 Oct - 02 Nov 2023, 2023, ISBN 9798350316452
Wydawca:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI:
10.1109/ecce53617.2023.10362408
PSEUDO-DIRECT DRIVE FOR BLADE PITCH CONTROL ACTUATION
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Radu, Dragan; Barrett, Robert; Wilson, Gregg; Kinghorn, Robbie; Powell, David
Opublikowane w:
Recent Advances in Aerospace Actuation Systems and Components, Numer 3, 2023
Wydawca:
Recent Advances in Aerospace Actuation Systems and Components
DOI:
10.5281/zenodo.11486059
Mass-specific thermal optimization of a heat sink for rotating 80kW SiC dual inverter exposed to extreme conditions
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Ambreen, T., Atallah, K. and Odavic, M.
Opublikowane w:
2023 IEEE Transportation Electrification Conference and Expo, Asia-Pacific (ITEC Asia-Pacific), Numer 28 Nov - 01 Dec 2023, 2023, ISBN 9798350314281
Wydawca:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI:
10.1109/itecasia-pacific59272.2023.10372271
Design optimization methodology for high-frequency rotary transformers for contactless power transfer systems
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Vardhan, H., Odavic, M. and Atallah, K.
Opublikowane w:
IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Numer 09-13 Oct 2022, 2022, ISBN 9781728193885
Wydawca:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI:
10.1109/ecce50734.2022.9948210
Comprehensive analysis and design optimization of the Dual Active Bridge DC-DC converter with finite magnetizing inductance
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Vardhan, H., Odavic, M. and Atallah, K
Opublikowane w:
2023 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Numer 19-23 Mar 2023, 2023, ISBN 9781665475396
Wydawca:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI:
10.1109/apec43580.2023.10131258
Analytical modelling of SiC MOSFET based on datasheet parameters considering the dynamic transfer characteristics and channel resistance dependency on the drain voltage
(odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Autorzy:
Betha, H.V., Odavic, M. and Atallah, K.
Opublikowane w:
IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Numer 19-23 Mar 2023, 2023, ISBN 9781665475389
Wydawca:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI:
10.1109/apec43580.2023.10131160
