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Novel approach to Area selective Deposition for BEOL Interconnect Applications

Description du projet

Une nouvelle approche de la modélisation à l’échelle nanométrique

La modélisation des matériaux à l’échelle nanométrique devient cruciale pour de nombreux appareils, en particulier en fin de ligne. Avec le dernier nœud d’Intel à 10 nm, de nouvelles façons de maîtriser le dépôt sélectif de matériaux à l’échelle nanométrique doivent être développées. Le dépôt sélectif peut conduire à un changement de paradigme dans la structuration des futurs nœuds de la technologie des semi-conducteurs. Dans cette optique, le projet NADIA, financé par l’UE, entend procéder à la démonstration du contrôle spatial d’un film mince déposé. Pour ce faire, il utilisera le dépôt sélectif de zone (ASD pour area selective deposit) par dépôt de couche atomique. Cela présente un certain nombre d’avantages possibles pour le traitement futur des périphériques et peut contribuer à surmonter les défis d’intégration de processus aux nœuds inférieurs à 10 nm.

Objectif

The need for area selective deposition (ASD): Nanoscale patterning of materials is becoming a key issue for a broad range of devices, especially
in the back end of line (BEOL). With the introduction of Intel’s latest 10nm node earlier this year, it is vital to develop new ways to master selective
deposition of materials at the nanoscale, preferably without the use of lithographic and etching steps, as they can be time-consuming, expensive
and mainly subtractive processes. Novel concepts are thus needed to enhance local deposition while decreasing the use of expensive
technological steps. Selective deposition is expected to lead to a paradigm shift in patterning at future semiconductor technology nodes. Area
Selective Deposition (ASD) by ALD brings several potential benefits for future device processing and provides a route to overcome process
integration challenges at the sub 10 nm nodes, i.e. overlay and lithographic misalignment related issues both in the front end of line (FEOL) and
back end of line (BEOL) schemes. Essentially, what ASD gives is spatial control over a deposited thin film. This is the objective of the innovative
NADIA proposal which is now a very relevant topic.

Coordinateur

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Contribution nette de l'UE
€ 178 320,00
Adresse
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgique

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Région
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Type d’activité
Research Organisations
Liens
Coût total
€ 178 320,00