Description du projet
Étudier les implications des états de défaut (piège) sur les matériaux 2D
Les matériaux bidimensionnels (2D) ont suscité une attention croissante au cours de la dernière décennie. Leur épaisseur extrêmement réduite s’étant traduite par des propriétés optiques, électroniques et optoélectroniques extraordinaires, les matériaux 2D sont utilisés dans les semi-conducteurs. Par rapport aux semi-conducteurs 3D traditionnels, ils permettent une plus grande densité d’intégration. Le projet TRAPS-2D, financé par l’UE, permettra d’améliorer les performances des matériaux 2D grâce à l’ingénierie des défauts. Il a pour objectif de remédier à leurs faibles performances et de parvenir à une co-intégration avec la technologie CMOS (complementary metal-oxide semiconductor). TRAPS-2D va mener une étude systématique des implications des états de défaut (piège) sur les matériaux 2D. Les résultats du projet permettront à terme d’améliorer considérablement les applications électroniques commerciales.
Objectif
Dr. Marquez proposes a new approach to improve the performance of 2D materials: the defect-engineering. This approach aims to investigate the critical issue of defects implication on the 2D semiconductors operation to solve the low performance and to accomplish a future CMOS co-integration. Electrically activated interfaces, surface and oxide states have demonstrated not only to reduce the device performance but also making the device to behave in a determine operation. Surface defect have shown metal workfunction pinning and therefore formation of Schottky barriers at the contact-semiconductor interface. In addition, depending on the energy level these defect, they can contribute like donor or acceptor dopant or like generation-recombination (trap) centers. In this regard, the fabricated devices would operate differently, presenting n-type, ambipolar or p-type behavior and accumulation or inversion operation modes. Fast operating, normally-on or normally-of devices can be addressed controlling the defect implications. The understanding and control of these defect states and impurities in 2D semiconductor systems is an essential area of research, and the first step is to develop the metrology tools to accurately quantify defect densities and distributions gaining further insight into the possible origin of the defects states. “TRAPS-2D” is a proposal to systematical study of defect (trap) states implications on 2D materials. Its novelty resides in the control of these defects to force the fabricated devices to operate in a specific mode and therefore control their performance. Additionally, the proposal holds an important technological transfer aspect considering the co-integration of these 2D materials in the standard CMOS processes to open the doors to ultimate commercial electronic applications.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
- ingénierie et technologiegénie électrique, génie électronique, génie de l’informationingénierie électroniquecapteurscapteurs optiques
- ingénierie et technologienanotechnologienanomatériauxnanostructures bidimensionnelles
- sciences naturellessciences physiquesélectromagnétisme et électroniquedispositif à semiconducteur
Vous devez vous identifier ou vous inscrire pour utiliser cette fonction
Mots‑clés
Programme(s)
Appel à propositions
(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-MSCA-IF-2019
Voir d’autres projets de cet appelRégime de financement
MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)Coordinateur
18071 Granada
Espagne