Description du projet DEENESFRITPL Étudier les implications des états de défaut (piège) sur les matériaux 2D Les matériaux bidimensionnels (2D) ont suscité une attention croissante au cours de la dernière décennie. Leur épaisseur extrêmement réduite s’étant traduite par des propriétés optiques, électroniques et optoélectroniques extraordinaires, les matériaux 2D sont utilisés dans les semi-conducteurs. Par rapport aux semi-conducteurs 3D traditionnels, ils permettent une plus grande densité d’intégration. Le projet TRAPS-2D, financé par l’UE, permettra d’améliorer les performances des matériaux 2D grâce à l’ingénierie des défauts. Il a pour objectif de remédier à leurs faibles performances et de parvenir à une co-intégration avec la technologie CMOS (complementary metal-oxide semiconductor). TRAPS-2D va mener une étude systématique des implications des états de défaut (piège) sur les matériaux 2D. Les résultats du projet permettront à terme d’améliorer considérablement les applications électroniques commerciales. Afficher les objectifs du projet Masquer les objectifs du projet Objectif Dr. Marquez proposes a new approach to improve the performance of 2D materials: the defect-engineering. This approach aims to investigate the critical issue of defects implication on the 2D semiconductors operation to solve the low performance and to accomplish a future CMOS co-integration. Electrically activated interfaces, surface and oxide states have demonstrated not only to reduce the device performance but also making the device to behave in a determine operation. Surface defect have shown metal workfunction pinning and therefore formation of Schottky barriers at the contact-semiconductor interface. In addition, depending on the energy level these defect, they can contribute like donor or acceptor dopant or like generation-recombination (trap) centers. In this regard, the fabricated devices would operate differently, presenting n-type, ambipolar or p-type behavior and accumulation or inversion operation modes. Fast operating, normally-on or normally-of devices can be addressed controlling the defect implications. The understanding and control of these defect states and impurities in 2D semiconductor systems is an essential area of research, and the first step is to develop the metrology tools to accurately quantify defect densities and distributions gaining further insight into the possible origin of the defects states. “TRAPS-2D” is a proposal to systematical study of defect (trap) states implications on 2D materials. Its novelty resides in the control of these defects to force the fabricated devices to operate in a specific mode and therefore control their performance. Additionally, the proposal holds an important technological transfer aspect considering the co-integration of these 2D materials in the standard CMOS processes to open the doors to ultimate commercial electronic applications. Champ scientifique ingénierie et technologiegénie électrique, génie électronique, génie de l’informationingénierie électroniquecapteurscapteurs optiquesingénierie et technologienanotechnologienanomatériauxnanostructures bidimensionnellessciences naturellessciences physiquesélectromagnétisme et électroniquedispositif à semiconducteur Programme(s) H2020-EU.1.3. - EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions Main Programme H2020-EU.1.3.2. - Nurturing excellence by means of cross-border and cross-sector mobility Thème(s) MSCA-IF-2019 - Individual Fellowships Appel à propositions H2020-MSCA-IF-2019 Voir d’autres projets de cet appel Régime de financement MSCA-IF-GF - Global Fellowships Coordinateur UNIVERSIDAD DE GRANADA Contribution nette de l'UE € 165 666,88 Adresse Cuesta del hospicio sn 18071 Granada Espagne Voir sur la carte Région Sur Andalucía Granada Type d’activité Higher or Secondary Education Establishments Liens Contacter l’organisation Opens in new window Site web Opens in new window Participation aux programmes de R&I de l'UE Opens in new window Réseau de collaboration HORIZON Opens in new window Autres sources de financement € 0,00 Partenaires (1) Trier par ordre alphabétique Trier par contribution nette de l'UE Tout développer Tout réduire Partenaire Les organisations partenaires contribuent à la mise en œuvre de l’action, mais ne signent pas la convention de subvention. NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY Taïwan Contribution nette de l'UE € 0,00 Adresse University road 1001 30010 Hsinchu Voir sur la carte Type d’activité Higher or Secondary Education Establishments Liens Contacter l’organisation Opens in new window Participation aux programmes de R&I de l'UE Opens in new window Réseau de collaboration HORIZON Opens in new window Autres sources de financement € 85 200,64
