Skip to main content
European Commission logo print header

Understanding The Role of the defects to Accomplish high Performance and Stable Two Dimensional Devices

Opis projektu

Badanie wpływu stanów defektowych (pułapek) na materiały 2D

W ciągu ostatniej dekady materiały dwuwymiarowe (2D) zyskiwały coraz więcej uwagi. Materiały 2D, ultracienkie i charakteryzujące się nadzwyczajnymi właściwościami optycznymi, elektronicznymi i optoelektronicznymi, stosowane są w półprzewodnikach. W porównaniu z tradycyjnymi półprzewodnikami trójwymiarowymi (3D) pozwalają one na integrację w większym zagęszczeniu. Finansowany ze środków UE projekt TRAPS-2D przyczyni się do poprawy wydajności materiałów 2D poprzez usunięcie ich defektów. Celem projektu jest rozwiązanie problemu niskiej wydajności i umożliwienie integracji technologii CMOS. W ramach projektu TRAPS-2D przeprowadzone zostanie systematyczne badanie wpływu stanów defektowych (pułapek) na materiały 2D. Projekt doprowadzi ostatecznie do znacznego ulepszenia komercyjnych zastosowań elektronicznych.

Cel

Dr. Marquez proposes a new approach to improve the performance of 2D materials: the defect-engineering. This approach aims to investigate the critical issue of defects implication on the 2D semiconductors operation to solve the low performance and to accomplish a future CMOS co-integration. Electrically activated interfaces, surface and oxide states have demonstrated not only to reduce the device performance but also making the device to behave in a determine operation. Surface defect have shown metal workfunction pinning and therefore formation of Schottky barriers at the contact-semiconductor interface. In addition, depending on the energy level these defect, they can contribute like donor or acceptor dopant or like generation-recombination (trap) centers. In this regard, the fabricated devices would operate differently, presenting n-type, ambipolar or p-type behavior and accumulation or inversion operation modes. Fast operating, normally-on or normally-of devices can be addressed controlling the defect implications. The understanding and control of these defect states and impurities in 2D semiconductor systems is an essential area of research, and the first step is to develop the metrology tools to accurately quantify defect densities and distributions gaining further insight into the possible origin of the defects states. “TRAPS-2D” is a proposal to systematical study of defect (trap) states implications on 2D materials. Its novelty resides in the control of these defects to force the fabricated devices to operate in a specific mode and therefore control their performance. Additionally, the proposal holds an important technological transfer aspect considering the co-integration of these 2D materials in the standard CMOS processes to open the doors to ultimate commercial electronic applications.

Koordynator

UNIVERSIDAD DE GRANADA
Wkład UE netto
€ 165 666,88
Adres
Cuesta del hospicio sn
18071 Granada
Hiszpania

Zobacz na mapie

Region
Sur Andalucía Granada
Rodzaj działalności
Higher or Secondary Education Establishments
Linki
Środki z innych źródeł
€ 0,00

Partnerzy (1)