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Understanding The Role of the defects to Accomplish high Performance and Stable Two Dimensional Devices

Projektbeschreibung

Eine Untersuchung der Implikationen von Defektzuständen (fixierten Zuständen) auf 2D-Werkstoffe

Zweidimensionalen (2D) Werkstoffen wurde im letzten Jahrzehnt erhöhte Aufmerksamkeit gewidmet. Da mit ultradünnen Dicken außergewöhnliche optische, elektronische und optoelektronische Eigenschaften einhergehen, kommen 2D-Werkstoffe in Halbleitern zum Einsatz. Im Vergleich zu herkömmlichen 3D-Halbleitern ermöglichen sie eine höhere Integrationsdichte. Das EU-finanzierte Projekt TRAPS-2D wird die Leistung von 2D-Werkstoffen durch Defekt-Engineering verbessern. Das Ziel besteht dabei darin, geringe Leistungen zu verhindern und eine Kointegration einer komplementären Metall-Oxid-Technologie zu erreichen. TRAPS-2D wird eine systematische Studie der Implikationen von Defektzuständen (fixierten Zuständen) auf 2D-Werkstoffen durchführen. Die Ergebnisse des Projekts werden letztendlich zu erheblich verbesserten kommerziellen elektronischen Anwendungen führen.

Ziel

Dr. Marquez proposes a new approach to improve the performance of 2D materials: the defect-engineering. This approach aims to investigate the critical issue of defects implication on the 2D semiconductors operation to solve the low performance and to accomplish a future CMOS co-integration. Electrically activated interfaces, surface and oxide states have demonstrated not only to reduce the device performance but also making the device to behave in a determine operation. Surface defect have shown metal workfunction pinning and therefore formation of Schottky barriers at the contact-semiconductor interface. In addition, depending on the energy level these defect, they can contribute like donor or acceptor dopant or like generation-recombination (trap) centers. In this regard, the fabricated devices would operate differently, presenting n-type, ambipolar or p-type behavior and accumulation or inversion operation modes. Fast operating, normally-on or normally-of devices can be addressed controlling the defect implications. The understanding and control of these defect states and impurities in 2D semiconductor systems is an essential area of research, and the first step is to develop the metrology tools to accurately quantify defect densities and distributions gaining further insight into the possible origin of the defects states. “TRAPS-2D” is a proposal to systematical study of defect (trap) states implications on 2D materials. Its novelty resides in the control of these defects to force the fabricated devices to operate in a specific mode and therefore control their performance. Additionally, the proposal holds an important technological transfer aspect considering the co-integration of these 2D materials in the standard CMOS processes to open the doors to ultimate commercial electronic applications.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

Schlüsselbegriffe

Programm/Programme

Thema/Themen

Finanzierungsplan

MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)

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Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

(öffnet in neuem Fenster) H2020-MSCA-IF-2019

Alle im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen finanzierten Projekte anzeigen

Koordinator

UNIVERSIDAD DE GRANADA
Netto-EU-Beitrag
€ 165 666,88
Adresse
CUESTA DEL HOSPICIO SN
18071 Granada
Spanien
Region
Sur Andalucía Granada
Aktivitätstyp
Higher or Secondary Education Establishments
Links
Gesamtkosten
€ 165 666,88

Partner (1)