Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

Projektinformationen

QUANTIMONY

ID Finanzhilfevereinbarung: 956548

DOI

10.3030/956548

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 18 August 2020

Startdatum 1 Dezember 2020

Enddatum 30 November 2024

Finanziert unter

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Gesamtkosten

€ 3 769 297,92

EU-Beitrag

€ 3 769 297,92

Koordiniert durch

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
Spain

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Leistungen

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

QUANTIMONY internet website and social networks

QUANTIMONY internet website and social networks operational

Documents, reports (14)

Periodical dissemination and communication activities report 3/3

Periodical dissemination and communication activities report

Final QUANTIMONY Workshop

Report on the Final QUANTIMONY Workshop

QUANTIMONY Career and Industry Days 1/2

Report on the QUANTIMONY Career and Industry Day organized by AIXTRON SE

Periodical training activities report 1/3

A periodical report about the training activities will be delivered

Review of growth and fabrication of III-Sb quantum materials and devices

Consolidated review on the growth and fabrication of III-Sb quantum materials and devices

Review of structural and functional properties of III -Sb quantum materials and devices

Consolidated review on the structural and functional properties of III -Sb quantum materials and devices

Open QUANTIMONY School

Report on the Open QUANTIMONY School

Periodical dissemination and communication activities report 2/3

Periodical dissemination and communication activities report

Periodical training activities report 3/3

A periodical report about the training activities will be delivered

Periodical training activities report 2/3

A periodical report about the training activities will be delivered

Final AAB and SB Head review about QUANTIMONY training experience
Review of electronic band structure modelling of III-Sb quantum semiconductors

Consolidated review of electronic band structure modelling of III-Sb quantum semiconductors

Periodical dissemination and communication activities report 1/3

Periodical dissemination and communication activities report

QUANTIMONY Career and Industry Days 2/2

Report on the QUANTIMONY Career and Industry Days organized by IQE

Veröffentlichungen

Conference proceedings (6)

Optimization of UV LED design using evolutionary algorithms

Autoren: L. Leguay, H. Mączko, A. Schliwa, S. Birner
Veröffentlicht in: 2023 IEEE Photonics Conference (IPC), 2024, Seite(n) 1-2
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ipc57732.2023.10360557

Empirical Tight-Binding Parameterizations for Accurate Heterostructure and Alloy Calculations

Autoren: Anh-Luan Phan, Daniele Soccodato, Alessia Di Vito, Alessandro Pecchia, Matthias Auf der Maur
Veröffentlicht in: 2024 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2024, Seite(n) 11-12
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/nusod62083.2024.10723707

Electronic structure of GaSb/AlGaSb quantum dots formed by filling droplet-etched nanoholes

Autoren: Lucie Leguay, Abhiroop Chellu, Joonas Hilska, Esperanza Luna, Andrei Schliwa, Mircea Guina, Teemu Hakkarainen
Veröffentlicht in: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXXII, 2024, Seite(n) 24
Herausgeber: SPIE
DOI: 10.1117/12.3002300

Multiscale Approaches for Electronic Device Simulation

Autoren: Matthias Auf der Maur, Anh-Luan Phan, Daniele Soccodato, Alessia Di Vito, Alessandro Pecchia
Veröffentlicht in: 2023 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2023, Seite(n) 692-693
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/nmdc57951.2023.10343710

Empirical tight-binding simulations for nonuniform disordered GaAsSb alloy

Autoren: Anh-Luan Phan, Alessia Di Vito, Alessandro Pecchia, Matthias Auf der Maur
Veröffentlicht in: 2023 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2023, Seite(n) 73-74
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/nusod59562.2023.10273494

Towards GaSb/GaAs quantum-ring single-photon LEDs: recent progress and prospects

Autoren: Gizem Acar, Lucie Leguay, Samuel Jones, Peter Hodgson, Andrei Schliwa, Manus Hayne
Veröffentlicht in: Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVIII, 2024, Seite(n) 16
Herausgeber: SPIE
DOI: 10.1117/12.3002881

Peer reviewed articles (21)

Inverse Design of a Hybrid Mie-Tamm Photonic Structure as a Highly Directional Gigahertz Single-Photon Source

Autoren: Llorens, J. M. & Alén, B.
Veröffentlicht in: Phys. Rev. Applied, 2023, ISSN 2331-7019
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.19.034054

Spin-dependent analysis of homogeneous and inhomogeneous exciton decoherence in magnetic fields

Autoren: V. Laurindo, E. D. Guarin Castro, G. M. Jacobsen, E. R. C. de Oliveira, J. F. M. Domenegueti, B. Alén, Yu. I. Mazur, G. J. Salamo, G. E. Marques, E. Marega, M. D. Teodoro, V. Lopez-Richard
Veröffentlicht in: Physical Review B, Ausgabe 105, 2023, ISSN 2469-9950
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.105.045414

Empirical tight-binding method for large-supercell simulations of disordered semiconductor alloys

Autoren: Anh-Luan Phan, Alessandro Pecchia, Alessia Di Vito, Matthias Auf der Maur
Veröffentlicht in: Physica Scripta, Ausgabe 99, 2024, Seite(n) 075903, ISSN 0031-8949
Herausgeber: Royal Swedish Academy of Sciences
DOI: 10.1088/1402-4896/ad4f65

Defect formation in InGaAs/AlSb/InAs memory devices

Autoren: A. Trevisan, P. D. Hodgson, D. Lane, M. Hayne & P. Koenraad
Veröffentlicht in: Journal of Vacuum Science and Technology B, 2023, ISSN 2166-2746
Herausgeber: AVS
DOI: 10.1116/6.0002677

Spatially and Time-Resolved Carrier Dynamics in Core–Shell InGaN/GaN Multiple-Quantum Wells on GaN Wire

Autoren: Jaime Segura-Ruiz, Damien Salomon, Andrei Rogalev, Joël Eymery, Benito Alén, and Gema Martínez-Criado*
Veröffentlicht in: Nano Letters, Ausgabe 20, 2021, ISSN 1530-6984
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c02760

Lingering times at resonance: The case of Sb-based tunneling devices

Autoren: E.D. Guarin Castro, A. Pfenning, F. Hartmann, A. Naranjo, G. Knebl, M.D. Teodoro, G.E. Marques, S. Höfling, G. Bastard, V. Lopez-Richard
Veröffentlicht in: Physical Review Applied, Ausgabe 23, 2025, Seite(n) 014051, ISSN 2331-7019
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.23.014051

Functional Modifications Induced via X-ray Nanopatterning in TiO2 Rutile Single Crystals

Autoren: Alessio, Andrea ; Bonino, Valentina; Heisig, Thomas ; Picollo, Federico ; Torsello, Daniele; Mino, Lorenzo; Martinez-Criado, Gema; Dittmann, Regina; Truccato, Marco
Veröffentlicht in: Physica status solidi. PSS-RRL, 2021, ISSN 1862-6254
Herausgeber: Wiley - VCH Verlag GmbH & CO. KGaA
DOI: 10.1002/pssr.202100409

Growth interruption strategies for interface optimization in GaAsSb/GaAsN type-II superlattices

Autoren: V. Braza, T. Ben, S. Flores, D.F. Reyes, A. Gallego-Carro, L. Stanojević, Ž. Gačević, N. Ruíz-Marín, J.M. Ulloa, D. González
Veröffentlicht in: Applied Surface Science, Ausgabe 604, 2024, Seite(n) 154596, ISSN 0169-4332
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.154596

Interplay between Crystal Structure and Optical Response in Plateau–Rayleigh Zn₂GeO₄/SnO₂ Heterostructures

Autoren: Jaime Dolado; Fernanda Malato; Jaime Segura-Ruiz; Ruth Martínez-Casado; María Taeño; Irina Snigireva; Pedro Hidalgo; Bianchi Méndez; Gema Martínez-Criado
Veröffentlicht in: Advanced Photonics Research, 2023, ISSN 2699-9293
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/adpr.202300063

Optical Mapping of Nonequilibrium Charge Carriers

Autoren: E. D. Guarin Castro*, A. Pfenning, F. Hartmann, G. Knebl, M. Daldin Teodoro, G. E. Marques, S. Höfling, G. Bastard, and V. Lopez-Richard
Veröffentlicht in: The Journal of Physical Chemistry, Ausgabe 125(27), 2021, ISSN 1932-7447
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c02173

Identification of the Segregation Kinetics of Ultrathin GaAsSb/GaAs Films Using AlAs Markers

Autoren: David Gonzalez et al.
Veröffentlicht in: Nanomaterials: Special Ausgabe Multijunction and Intermediated-Band Solar Cells for a Higher-Efficiency Solar Conversion: Nanomaterials and Structural Approaches, Ausgabe 13(5), 798, 2023, ISSN 2079-4991
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/nano13050798

Comparison between InAs-based and GaSb-based interband cascade lasers with hybrid superlattice plasmon-enhanced claddings

Autoren: B. Petrović, A. Bader, J. Nauschütz, T. Sato, S. Birner, S. Estevam, R. Weih, F. Hartmann, S. Höfling
Veröffentlicht in: Optical Materials Express, Ausgabe 14, 2024, Seite(n) 2912, ISSN 2159-3930
Herausgeber: Optical Society of America
DOI: 10.1364/ome.536801

GaSb-based interband cascade laser with hybrid superlattice plasmon-enhanced claddings

Autoren: B. Petrović, A. Bader, J. Nauschütz, T. Sato, S. Birner, R. Weih, F. Hartmann, S. Höfling
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 124, 2024, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0217972

On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa) (AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)

Autoren: Petr Steindl; Elisa Maddalena Sala; Benito Alén; Dieter Bimberg; Petr Klenovský
Veröffentlicht in: New Journal of Physics, 2021, ISSN 1367-2630
Herausgeber: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/1367-2630/ac2bd6

Modelling of the efficiency of the photovoltaic modules: Grid-connected plants to the Cuban national electrical system

Autoren: Y. Soler-Castillo et.al
Veröffentlicht in: Solar Energy, Ausgabe vol 223, 2021, ISSN 0038-092X
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.solener.2021.05.052

5.0 <i>μ</i>m emitting interband cascade lasers with superlattice and bulk AlGaAsSb claddings

Autoren: B. Petrović, A. Bader, J. Nauschütz, T. Sato, S. Birner, R. Weih, F. Hartmann, S. Höfling
Veröffentlicht in: Journal of Vacuum Science &amp; Technology B, Ausgabe 42, 2024, ISSN 2166-2754
Herausgeber: AVS Science and Technology Society
DOI: 10.1116/6.0003584

Gallium nanoparticles as antireflection structures on III-V solar cells

Autoren: S. Catalán-Gómez, E. Martínez Castellano, M. Schwarz, M. Montes Bajo, L. Dorado Vargas, A. Gonzalo, A. Redondo-Cubero, A. Gallego Carro, A. Hierro, J.M. Ulloa
Veröffentlicht in: Solar Energy Materials and Solar Cells, Ausgabe 265, 2023, Seite(n) 112632, ISSN 0927-0248
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112632

Resonant Tunneling Diodes: Mid-Infrared Sensing at Room Temperature

Autoren: Rothmayr, F.; Guarin Castro, E.D.; Hartmann, F.; Knebl, G.; Schade, A.; Höfling, S.; Koeth, J.; Pfenning, A.; Worschech, L.; Lopez-Richard, V.
Veröffentlicht in: Nanomaterials/ Special Ausgabe Semiconductors and Nanophotonic Devices, Ausgabe 12 (6) 1024, 2022, ISSN 2079-4991
Herausgeber: MDPI
DOI: 10.3390/nano12061024

Machine learned environment-dependent corrections for a spds∗ empirical tight-binding basis

Autoren: Daniele Soccodato, Gabriele Penazzi, Alessandro Pecchia, Anh-Luan Phan, Matthias Auf der Maur
Veröffentlicht in: Machine Learning: Science and Technology, Ausgabe 5, 2024, Seite(n) 025034, ISSN 2632-2153
Herausgeber: IOP Publishing
DOI: 10.1088/2632-2153/ad4510

Unveiling the electronic structure of GaSb/AlGaSb quantum dots emitting in the third telecom window

Autoren: Lucie Leguay, Abhiroop Chellu, Joonas Hilska, Esperanza Luna, Andrei Schliwa, Mircea Guina, Teemu Hakkarainen
Veröffentlicht in: Materials for Quantum Technology, Ausgabe 4, 2024, Seite(n) 015401, ISSN 2633-4356
Herausgeber: IOP Publishing Ltd
DOI: 10.1088/2633-4356/ad207e

Modeling electronic and optical properties of III–V quantum dots—selected recent developments

Autoren: Alexander Mittelstädt, Andrei Schliwa & Petr Klenovský
Veröffentlicht in: Light: Science & Applications 11(1), 2022, ISSN 2047-7538
Herausgeber: Springer Nature
DOI: 10.1038/s41377-021-00700-9