Opis projektu
Heksagonalna struktura krzemowo-germanowa może pomóc w uzyskaniu światła z układów krzemowych
Od ponad pół wieku krzem jest podstawowym surowcem wykorzystywanym do produkcji mikroukładów elektronicznych. Wykorzystanie go również do emitowania światła było świętym Graalem przemysłu mikroelektronicznego – dzięki temu osiągnięciu układy stałyby się szybsze niż kiedykolwiek do tej pory. Niestety, zarówno krzem, jak i german i stopy krzemowo-germanowe są półprzewodnikami z przerwą energetyczną, co oznacza, że nie są w stanie emitować światła z dużą sprawnością. Naukowcy pracują obecnie nad połączeniem krzemu i germanu w ramach sześciokątnych struktur, które będą w stanie emitować światło dzięki bezpośredniej przerwie energetycznej. Celem finansowanego ze środków Unii Europejskiej projektu Opto silicon jest integracja urządzeń emitujących światło opartych na sześciokątnych strukturach krzemowo-germanowych z istniejącymi krzemowymi układami elektronicznymi i pasywnymi krzemowymi układami fotonicznymi. Nowa technologia może znacząco zwiększyć wydajność obliczeniową układów elektronicznych, jednocześnie obniżając koszty wafli krzemowych.
Cel
Our vision is to integrate light-emitting devices, based on hexagonal silicon-germanium (Hex-SiGe), with existing Si electronics and passive Si-photonics circuitry. This establishes a silicon-compatible technology platform, with full opto-electronic functionality.
Silicon dominates the electronics industry for more than half a century. However, silicon, germanium and SiGe-alloys are all indirect band gap semiconductors. Their inability to efficiently emit light has adversely shaped the semiconductor industry we know today. Accordingly, achieving efficient light emission from SiGe has been a holy grail in silicon technology for decades. Hexagonal crystal phase SiGe (Hex-SiGe) recently emerged as a new direct bandgap semiconductor with excellent light emission capabilities. Hex-SiGe will provide additional functionality like light generation (light emitting diode, laser), light amplification (semiconductor optical amplifier) and efficient light detection to silicon technology.
This project will focus on:
• The growth of device quality Hex-SiGe on silicon-on-insulator (SOI).
• Demonstration of opto-electronic functionality in Hex-SiGe, including a quantum well laser.
This new technology promises strongly improved performance in computing and sensing, while simultaneously reducing cost by mass production in existing silicon foundries.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego.
- nauki przyrodniczenauki fizyczneelektromagnetyzm i elektronikaurządzenie półprzewodnikowe
- nauki przyrodniczenauki chemicznechemia nieorganicznametaloidy
- nauki przyrodniczenauki fizyczneoptykafizyka laserów
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Zaproszenie do składania wniosków
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszeniaSzczegółowe działanie
H2020-FETOPEN-2018-2019-2020-01
System finansowania
RIA - Research and Innovation actionKoordynator
5612 AE Eindhoven
Niderlandy