The ultimate solar power revolution: a technology that maximises solar wafer efficiency whilst drastically cutting manufacturing costs

Informazioni relative al progetto

EpiNex

ID dell’accordo di sovvenzione: 967987

DOI

10.3030/967987

Progetto chiuso

Data della firma CE 25 Gennaio 2021

Data di avvio 1 Febbraio 2021

Data di completamento 30 Novembre 2023

Finanziato da

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs

Costo totale

€ 3 485 573,75

Contributo UE

€ 2 439 901,63

Coordinato da

NEXWAFE GMBH
Germany

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Diritti di proprietà intellettuale

Patent (9)

PROCESS CHAMBER GUIDE, PROCESS CHAMBER, AND METHOD FOR GUIDING A SUBSTRATE CARRIER IN A PROCESS POSITION

Numero candidatura/pubblicazione: 18 712202
Data: 2018-03-19
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LAYER

Numero candidatura/pubblicazione: 17 717389
Data: 2016-09-27
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

PROCESS AND APPARATUS FOR REMOVAL OF IMPURITIES FROM CHLOROSILANES

Numero candidatura/pubblicazione: 18 792913
Data: 2018-10-19
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

SILICON WAFER FOR AN ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Numero candidatura/pubblicazione: 17 717389
Data: 2017-04-11
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

METHOD AND CARRIER ELEMENT FOR PRODUCING A WAFER LAYER

Numero candidatura/pubblicazione: 20 20079032
Data: 2020-10-15
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

METHOD FOR ARRANGING A PLURALITY OF SEED SUBSTRATES ON A CARRIER ELEMENT AND CARRIER ELEMENT HAVING SEED SUBSTRATES

Numero candidatura/pubblicazione: 17 761219
Data: 2017-08-24
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING ONE SIDE OF A SEMICONDUCTOR LAYER OF A WORKPIECE

Numero candidatura/pubblicazione: 19 723738
Data: 2019-05-06
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING ONE SIDE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Numero candidatura/pubblicazione: 16 819015
Data: 2016-12-08
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

METHOD AND APPARATUS FOR THE CONTINUOUS VAPOR DEPOSITION OF SILICON ON SUBSTRATES

Numero candidatura/pubblicazione: 18 793404
Data: 2018-10-25
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

Trademark (2)

EpiNex

Numero candidatura/pubblicazione: DE 1535171
Data: 2020-03-16
Candidato/i: NEXWAFE GMBH

NexWafe

Numero candidatura/pubblicazione: DE 1269430
Data: 2015-07-24
Candidato/i: NEXWAFE GMBH