Cel
Element III nitrides are very stable and direct large
Element III nitrides are very stable and direct large
band gap materials which are particularly well suited for
high power microwave, high temperature electronics and
UV/blue optoelectronic device applications. However, the
realisation of nitride compounds requires the development
of several enabling technologies to overcome today's
limitations. The basic technology which is the today
limitation is the growth process, while other
technologies, such as processing, can more easily be
transferred from existing methods. One of the bottleneck
of the epitaxial nitride growth technology development is
the absence of an efficient source of nitrogen active
species. This is particularly true for extremely
efficient ultra high vacuum (UHV) based fabrication
technologies such as molecular beam epitaxy and related
methods. The main objective of this project is to develop
well adapted sources of nitrogen for the low temperature
growth of element III nitrides using UHV technology.
Only two complementary approaches can overcome the
problems of atomic nitrogen sources and will be
investigated: the use of plasma sources (electron
cyclotron resonance (ECR) or radio frequency (RF)
activated) and catalytic thermal cracking cell operating
at relatively low temperature. Other correlated
objectives are: i) the design and fabrication of an UHV
dedicated nitride growth reactor optimising the use of
the developed sources and ii) the establishment of the
basic know how of the growth of a nitride MBE type
process in order to be able to produce high quality
nitride quantum well based electronic devices at a medium
term. The ANISET project is divided into four technical
workpackages (WP) corresponding to the main points
considered:
WP1: Development and optimisation of nitrogen plasma
sources. The main objective is the fabrication of a new
ECR based plasma source allowing high growth rates of
nitrides and minimising ion production detrimental to the
overall electronic properties of these materials.
WP2: Development of a catalytic thermal cracker cell
for nitrogen containing molecules. This is a very
innovative aspect of the present project which, if
successful, will be a significant breakthrough opening a
new route for nitride thin film fabrication by UHV based
growth technology.
WP3: Design and fabrication of a nitride growth
reactor. The main point underlying this WP is to provide
a reactor optimised for the used of developed nitrogen
sources. This represents the necessary complement to the
development of highly efficient nitrogen sources in order
to get the complete benefit of WP1 and WP2 in terms of
both technological advance and industrial strategy.
WP4: Growth and characterisation of state of the art
nitride materials. This WP corresponds to a twofold
objective:i) provides the companies involved in the
consortium with the know how of nitride thin films growth
necessary to get a leading position in the corresponding
market; ii) provide EC with a strong scientific and
technological grounds for material processing of this new
and strategic class of semiconductors.
ANISET is proposed by a consortium involving two leading
SME's in charge of the development corresponding to WP1
3, a world wide company leader in electronic applications
(project leader and end user) and two academic
institutions well know for their expertise in physics and
epitaxial growth of III V semiconductors. This will
reinforce the well established supremacy of European
position in UHV technology and open new markets for the
two SMEs in charge of the development. This project is
also of strategic importance for electronic based
applications company. More generally, it will contribute
to boost nitride based UHV thin film fabrication
technology in EC. ANISET is closely related to the task
force ' Car for tomorrow ' and ' Next generation aircraft ' since it will allow the fabrication of strategic
electronic nitride based devices operating at engine
temperatures.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- inżynieria i technologia inżynieria elektryczna, inżynieria elektroniczna, inżynieria informatyczna inżynieria informacyjna telekomunikacja technologia radiowa częstotliwość radiowa
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne fizyka teoretyczna fizyka cząstek elementarnych akcelerator cząsteczek
- inżynieria i technologia przemysł maszynowy inżynieria pojazdów inżynieria lotnicza i kosmiczna samolot
- inżynieria i technologia inżynieria materiałowa powłoki
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
91404 Orsay
Francja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.