Cel
A microwave plasma technique has been used to oxidize hydrogenated amorphous silicon at low temperatures. By a water vapour treatment of the surface, very large open circuit voltages, up to 905 mV, have been obtained in metal insulator semiconductor (MIS) type solar cell structures. The grown oxides were analysed by Auger electron spectroscopy (AES), ellipsometry and other methods. The plasma oxide thickness lies in the range 11-17 angstroms. Although dry oxidation led to similar oxide thicknesses, wet oxidation provided better results. As expected, the plasma oxide reduces the MIS forward and reverse dark current and leads to an increase in open circuit voltage and photocurrent. The photocurrent enhancement is due to an increased blue response of the cell. Significant differences exist between native and plasma oxides. This has been shown in an impressive way in surface wetting experiments with a water droplet on oxidized surfaces. The open circuit voltage of cells stored for 3 years remained nearly constant, which indicates a good chemical stability of the MIS cell.
IN CRYSTALLINE SILICON IT IS WELL KNOWN, THAT A THIN TUNNELING OXIDE AT THE INTERFACE BETWEEN THE ABSORBING SEMICONDUCTOR AND THE BARRIER FORMING METAL LEADS TO AN INCREASE OF THE OPEN CIRCUIT VOLTAGE AND THUS TO THE EFFICIENCY OF SOLAR CELLS. OUR STUDY DEALS WITH THE PASSIVATION OF AMORPHOUS SILICON. THE INFLUENCE OF THE PASSIVATED A-SI:H SURFACE IS EXAMINED BY A MIS (METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR) SOLAR CELL. IN ORDER TO REDUCE THE ACTIVATION ENERGY OF THE OXIDE FORMING PROCESS, WE DEVELOPED A PLASMA REACTOR POWERED BY A 2.45 GHZ MICROWAVE GENERATOR. THIS MULTIPLE GAS SYSTEM ALLOWS TO STUDY DIFFERENT PLASMA REACTIONS. AFTER A WATER-VAPOUR PLASMA TREATMENT WE OBSERVED A CONSIDERABLE INCREASE OF THE OPEN CIRCUIT VOLTAGE FROM 610 MV UP TO 900 MV WITH PT AND UP TO 870 MV WITH IR AS BARRIER METAL. THE MIS SOLAR CELLS PROVED TO BE VERY STABLE. THE CELL WITH 900 MV OPEN CIRCUIT VOLTAGE STABILIZED AFTER A YEAR AROUND 870 MV.
BECAUSE OF THE HIGH REFLECTION FROM THE BARRIER METAL AND THE A-SI:H SURFACE ONE GETS LOW PHOTOCURRENTS. BY COATING THE CELL WITH A ZRO2 ANTIREFLECTIVE LAYER THE PHOTOCURRENT COULD BE IMPROVED FROM 7 MA/CM2 TO ABOUT 11 MA/CM2 FOR POLISHED SAMPLES. A FURTHER IMPROVEMENT OF THE PHOTOCURRENT COULD BE ACHIEVED BY ROUGHENING THE STAINLESS STEEL SUBSTRATE. ASTONISHINGLY THE A-SI:H ON THE SAND-BLASTED SUBSTRATE DOES NOT EXHIBIT DESTRUCTIVE INFLUENCE ON THE MIS-INTERFACE. THE ROUGHENING PROCEDURE IS STILL NOT OPTIMIZED, BECAUSE WE ONLY USED A 50 MICROMETER GRAIN SIZE FOR SAND-BLASTING. OUR MIS SOLAR CELLS WITH A-SI:H AS BASE MATERIAL AND THE PLASMA PASSIVATION EXHIBIT EFFICIENCIES OF ABOUT 5%.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- inżynieria i technologia inżynieria materiałowa amorficzne ciała stałe półprzewodniki amorficzne
- nauki rolnicze rolnictwo, leśnictwo i rybołówstwo rolnictwo ziarna i nasiona oleiste
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne elektrochemia elektroliza
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metaloidy
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
KONSTANZ
Niemcy
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.