Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2022-12-23

Extreme ultra-violet (EUV) lithography using a laser plasma source and multilayer optics

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Wyniki nadające się do wykorzystania

Extreme ultraviolet (EUV) lithography offers considerable potential as a method to image ultra-fine structures with dimensions well below 100 nm. In this method short wavelength radiation in the 5 to 20 nm interval is employed to produce diffraction-limited images by special EUV optical systems. Before this technique can be utilized in, for example, semiconductor fabrication, vigorous development of fundamental physical processes is required. This project concerns combining the source with a high-transmission system of curved multilayer EUV mirrors which will enable the demonstration of diffraction limited resolution of below 100 nm. The main results of the collaboration work are : development and construction of the comprehensive EUV facility; optimization of the laser plasma source driven by the LPX350 excimer laser through a selection of targets and target irradiation conditions; increase of conversion efficiency through application of a new double-pulse technique; development of several novel techniques for elimination of laser plasma debris, bringing the source performance close to the 109 shots level; development of electron beam and magnetron sputtering techniques for manufacture of large spherical multilayer mirrors, enabling to approach requirements of the pre-industrial phase; development of several patterning techniques and manufacture of spherical reflection masks; analysis of optical features of the projection system; analysis of temperature stability of multilayer mirrors; demonstration of applicability of the EUV source and multilayer projection system for fabrication of 0.1-nm scale lithographic structures.

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników

Moja broszura 0 0