Cel
Future successful development of information technologies is strongly dependent on the continuation of Moore's law towards nano-electronics. According to the ITRS roadmap, the mainstream memory devices, e.g. DRAMs and Flash memories, will face a technological brick-wall around 2006. An ideal memory device for the coming nano-electronics era would be a silicon-technology compatible flash single-electron memory device. The aim of this project is to optimise and fabricate such nano-flash single-electron memory devices and the associated circuits using a fully MOS-compatible SOI technology. The key innovative aspects of this project rely on device design optimised for persistent operation and low voltage programming, and on a simple self-aligned SOI-MOS process. This project gathers together 3 university partners and an industrial partner interested in the high potential of this study. Future successful development of information technologies is strongly dependent on the continuation of Moore's law towards nano-electronics. According to the ITRS roadmap, the mainstream memory devices, e.g. DRAMs and Flash memories, will face a technological brick-wall around 2006. An ideal memory device for the coming nano-electronics era would be a silicon-technology compatible flash single-electron memory device. The aim of this project is to optimise and fabricate such nano-flash single-electron memory devices and the associated circuits using a fully MOS-compatible SOI technology. The key innovative aspects of this project rely on device design optimised for persistent operation and low voltage programming, and on a simple self-aligned SOI-MOS process. This project gathers together 3 university partners and an industrial partner interested in the high potential of this study.
OBJECTIVES
The critical points that currently limit performances are lithography resolution, process optimisation, and fine characterisation. The objectives of SASEM are to address these points and go from the existing laboratory single-electron-memory (SEM) device to memory circuit demonstration. In order to fully exploit the potential of our SEM device, all aspects from physics and technology to circuit architecture will be addressed. Detailed objectives: Process simulation using appropriate models for small devices and anisotropic oxidation. Device simulation and design, process optimisation for best reproducibility and robustness to process parameter fluctuations, and best device characteristics. Tests and optimisation of critical process steps. Memory device fabrication. Physical characterisation. Electrical characterisation (programming and readout, retention time). Design and fabrication of memory cells. Demonstration of a nano-flash SEM circuit.
DESCRIPTION OF WORK
The different components are grouped in the following workpackages (WP1 to WP3) and tasks. WP1: Design and simulation:
1.1 Development of specific process simulation tools that will allow device process optimisation. If necessary, 3D simulation will be considered on year 2;
1.2 Device process optimisation based on inputs from 1.1 as well as feedbacks from device characterization (3.1 and 3.3). Technological parameters will be optimised to produce the best device in terms of reproducibility and robustness to process parameter fluctuations, as well as device characteristics;
1.3 Design of a programming/readout circuit using the SOI analog circuit expertise of G1. Design improvement is based on memory cell characterization (3.4);
1.4 Design of memory circuit based on output from task 1.3. Feedback from memory circuit characterization (3.5) will drive design optimisation.
WP2: Fabrication: 2.1 Optimisation of the key process steps: lithography and oxidation. Shared by CO1 (oxidation) and CR3 (lithography). Physical characterization (3.1) will drive the present task through continuous feedbacks;
2.2 Based on inputs from tasks 1.2 and 2.1 task 2.2 is devoted to memory device fabrication. CO1 and CR3 will share process steps according to specific expertises and equipments;
2.3 Memory cell fabrication;
2.4 Memory circuit fabrication based on input from task 1.4.
WP3: Characterization;
3.1 Physical characterization using various investigation tools (SEM, AFM, FIB). Device process optimisation;
3.2 Development of specific device/circuit characterization tools to provide detailed investigation of memory device characteristics;
3.3 to 3.5: Devices, memory cells and memory circuits characterization, respectively. Provide continuous feedback to tasks 1.2 1.3 and 1.4.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- inżynieria i technologia inżynieria elektryczna, inżynieria elektroniczna, inżynieria informatyczna inżynieria elektroniczna elektronika analogowa
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne elektrochemia elektroliza
- nauki przyrodnicze informatyka oprogramowanie aplikacje komputerowe oprogramowanie symulacyjne
- inżynieria i technologia nanotechnologia nanoelektronika
- nauki społeczne prawo
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Słowa kluczowe
Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.
Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
1348 LOUVAIN-LA-NEUVE
Belgia
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.