Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Electronic Doping of Soft Semiconductors

Opis projektu

Protokoły stabilnego domieszkowania elektronowego półprzewodników

Domieszkowanie elektronowe ma kluczowe znaczenie dla gęstości nośników w półprzewodnikach, zwłaszcza w perowskitach metalohalogenkowych. Wyzwania takie jak kompensacja defektów i ograniczony dostęp do urządzeń synchrotronowych komplikują syntezę i analizę takich materiałów. Projekt EDO, finansowany przez ERBN, ma na celu opracowanie nowych protokołów celowego i stabilnego domieszkowania elektronowego w półprzewodnikach metalohalogenkowych. W ramach projektu opracowane zostanie multimodalne narzędzie eksperymentalne do ilościowej oceny domieszkowania i jego wpływu na właściwości optoelektroniczne perowskitowych półprzewodników metalohalogenkowych. Dzięki połączeniu mikroskopu fotoemisyjnego z przestrajalnymi źródłami koherentnymi obejmującymi promieniowanie od bliskiej podczerwieni (NIR) do miękkiego promieniowania rentgenowskiego, projekt zmapuje przesunięcie na poziomie Fermiego, strukturę elektronową i skład pierwiastkowy cienkich warstw w skali nanometrowej, jednocześnie badając dynamikę optoelektroniczną, wspomagając w ten sposób rozwój przetwarzania materiałów.

Cel

EDO will develop protocols for intentional, spatially controlled, and stable electronic doping in metal halide semiconductors.
Electronic doping implies engineering of carrier density in semiconductors through the intentional introduction of a defect and it is necessary to achieve high performances in micro and optoelectronic technologies. Unlike established semiconductors, which are typically covalent solids, those belonging to the class of soft materials, such as molecules and polymers, forming van der Waals solids, and metal halide perovskites, forming ionic solids, host complex doping mechanisms. As a result, the design of free carrier density is far from being established and exploited in metal halides perovskites thin films. Intrinsic challenges, such as compensation and migration of defects, charge localization, phase segregation and the strong doping−processing relationship, may hide or hamper the designed doping process. Characterization and control of such phenomena require the combined knowledge of electronic, chemical and morphological/structural information, which is often missing. As a result, reports are often contradictory and advanced tools are in demand to draw a complete picture. Synchrotron facilities may help reaching the target, however, their limited access hampers direct feedback between synthesis and characterization.
EDO will develop an unprecedent multimodal experimental tool, in laboratory environment, to quantitatively assess the doping and examine its impact on the optoelectronic properties of metal halides perovskites semiconductors. A photoemission microscope will be coupled to tunable coherent sources, covering the entire spectrum from NIR to soft X-ray radiation to map at nanometer scale the Fermi level shift, the electronic structure and the elemental composition and organization of thin films, and the relative optoelectronic dynamics, transferring the secured knowledge to the development of materials processing.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Słowa kluczowe

Program(-y)

Temat(-y)

System finansowania

HORIZON-ERC - HORIZON ERC Grants

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu finansowania

Zaproszenie do składania wniosków

(odnośnik otworzy się w nowym oknie) ERC-2024-ADG

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego zaproszenia

Instytucja przyjmująca

FONDAZIONE ISTITUTO ITALIANO DI TECNOLOGIA
Wkład UE netto
€ 2 930 312,00
Koszt całkowity
Brak danych

Beneficjenci (2)