Cel
In our approach we will focus on three areas of development:
- Technology: To explore new technologies which have the potential for realising the Coulomb blockade at room temperature, by investigation of nano-fabrication with Scanning Probe Manipulation and conducting polymers. To develop multi-layer processing for Coulomb blockade circuits.
- Components: To develop component design concepts, by pushing forward the performance of components used for interfacing Coulomb blockade circuits with conventional semi-conductor circuits. To investigate new concepts for background charge-insensitive Coulomb blockade devices.
- Complex circuits: To study complex circuits involving several Coulomb blockade elements. To build up a library of digital circuits and to investigate their use in logic and memory applications.
Development tasks are aimed in one of two basic directions: A reduction of feature size and development of well controllable methods for realising Coulomb blockade at higher temperatures, and application of presently well controlled methods to develop circuits of greater complexity. Progress in these two directions is essential for the realisation of real applications in the electronic industry, such as digital logic and memory circuits with very high packing density.
The Information Technology (IT) industry faces many daunting technological problems in the design of future electronic circuits. Several of these problems centre around the need to implement device function with increased density on chip, lower power consumption, and simpler design. The design concepts used in conventional semiconductor technology cannot be scaled down indefinitely, and thus new concepts must be found. In recent years, physical transport properties based on the Coulomb blockade of tunnelling of single charge quanta (Single Electron Tunnelling, SET) have come to light as a possibility for implementing electronics ("single electronics") at the nano-metre length scale.
Single Electron Transistors may overcome the physical limitations of MOS transistors. MOS exploit the field effect described by classical transport equations for the charge carriers, and are thus limited by the finite length of space charge layers, tunnelling effects and fluctuations of the doping concentrations. The single electron devices exploit the Coulomb blockade in very small metallic capacitors, where quantum tunnelling through insulating layers is essential. Thus these devices can be made much smaller than MOS transistors. If room temperature operation is considered, typical capacitances should be in the range of 0,1 to 1 attoFarad, corresponding to feature sizes of 1 to 10nm.
The CHARGE project is a collaboration of several groups in Europe with a broad base of expertise and experience. The collaboration consists of partners from industry, academic and government laboratories. The purpose of this collaboration and the objective of this project is to investigate the theoretical and practical problems associated with using extremely small amounts of charge for the realisation of bits of information.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne nauka o polimerach
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Słowa kluczowe
Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.
Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
412 96 Gothenburg
Szwecja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.