Innovative Reliable Nitride based Power Devices and Applications

Informazioni relative al progetto

InRel-NPower

ID dell’accordo di sovvenzione: 720527

DOI

10.3030/720527

Progetto chiuso

Data della firma CE 9 Novembre 2016

Data di avvio 1 Gennaio 2017

Data di completamento 30 Novembre 2020

Finanziato da

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Advanced materials

Costo totale

€ 7 691 466,25

Contributo UE

€ 7 190 000,00

Coordinato da

UNIVERSITA DEGLI STUDI DI PADOVA
Italy

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I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Web site

The website will be implemented. Project objectives, partners description and main activities related with the project will be included.

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (21)

The impact of dislocations on AlGaN/GaN Schottky diodes and on gate failure of high electron mobility transistors

Autori: Sven Besendörfer, Elke Meissner, Farid Medjdoub, Joff Derluyn, Jochen Friedrich, Tobias Erlbacher
Pubblicato in: Scientific Reports, Numero 10/1, 2020, ISSN 2045-2322
Editore: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41598-020-73977-2

Impact of sidewall etching on the dynamic performance of GaN-on-Si E-mode transistors

Autori: A. Tajalli, E. Canato, A. Nardo, M. Meneghini, A. Stockman, P. Moens, E. Zanoni, G. Meneghesso
Pubblicato in: Microelectronics Reliability, Numero 88-90, 2018, Pagina/e 572-576, ISSN 0026-2714
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2018.06.037

Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices

Autori: S. Besendörfer, E. Meissner, A. Lesnik, J. Friedrich, A. Dadgar, T. Erlbacher
Pubblicato in: Journal of Applied Physics, Numero 125/9, 2019, Pagina/e 095704, ISSN 0021-8979
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5065442

Vertical Leakage in GaN-on-Si Stacks Investigated by a Buffer Decomposition Experiment

Autori: Alaleh Tajalli, Matteo Borga, Matteo Meneghini, Carlo De Santi, Davide Benazzi, Sven Besendörfer, Roland Püsche, Joff Derluyn, Stefan Degroote, Marianne Germain, Riad Kabouche, Idriss Abid, Elke Meissner, Enrico Zanoni, Farid Medjdoub, Gaudenzio Meneghesso
Pubblicato in: Micromachines, Numero 11/1, 2020, Pagina/e 101, ISSN 2072-666X
Editore: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/mi11010101

Buffer breakdown in GaN-on-Si HEMTs: A comprehensive study based on a sequential growth experiment

Autori: M. Borga, M. Meneghini, D. Benazzi, E. Canato, R. Püsche, J. Derluyn, I. Abid, F. Medjdoub, G. Meneghesso, E. Zanoni
Pubblicato in: Microelectronics Reliability, Numero 100-101, 2019, Pagina/e 113461, ISSN 0026-2714
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113461

The Effect of Proton Irradiation in Suppressing Current Collapse in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

Autori: A. Stockman, A. Tajalli, M. Meneghini, M. J. Uren, S. Mouhoubi, S. Gerardin, M. Bagatin, A. Paccagnella, G. Meneghesso, E. Zanoni, P. Moens, B. Bakeroot
Pubblicato in: IEEE Transactions on Electron Devices, Numero 66/1, 2019, Pagina/e 372-377, ISSN 0018-9383
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/ted.2018.2881325

Formation and preferential orientation of Au-free Al/Ti-based ohmic contacts on different hexagonal nitride-based heterostructures

Autori: F. Geenen, A. Constant, E. Solano, D. Deduytsche, C. Mocuta, P. Coppens, C. Detavernier
Pubblicato in: Journal of Applied Physics, Numero 127/21, 2020, Pagina/e 215701, ISSN 0021-8979
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0006003

High Breakdown Voltage and Low Buffer Trapping in Superlattice GaN-on-Silicon Heterostructures for High Voltage Applications

Autori: Alaleh Tajalli, Matteo Meneghini, Sven Besendörfer, Riad Kabouche, Idriss Abid, Roland Püsche, Joff Derluyn, Stefan Degroote, Marianne Germain, Elke Meissner, Enrico Zanoni, Farid Medjdoub, Gaudenzio Meneghesso
Pubblicato in: Materials, Numero 13/19, 2020, Pagina/e 4271, ISSN 1996-1944
Editore: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma13194271

CH4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000−1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films

Autori: Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa
Pubblicato in: Materials, Numero 12/6, 2019, Pagina/e 972, ISSN 1996-1944
Editore: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma12060972

Computational study of oxygen stability in vicinal m(10−10)-GaN growth by MOVPE

Autori: Fumiya Shintaku, Daichi Yosho, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano
Pubblicato in: Applied Physics Express, Numero 13/5, 2020, Pagina/e 055507, ISSN 1882-0778
Editore: Japan Soc of Applied Physics
DOI: 10.35848/1882-0786/ab8723

Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures

Autori: Riad Kabouche, Idriss Abid, Roland Püsche, Joff Derluyn, Stefan Degroote, Marianne Germain, Alaleh Tajalli, Matteo Meneghini, Gaudenzio Meneghesso, Farid Medjdoub
Pubblicato in: physica status solidi (a), Numero 217/7, 2020, Pagina/e 1900687, ISSN 1862-6300
Editore: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
DOI: 10.1002/pssa.201900687

Evidence of Hot-Electron Effects During Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs

Autori: I. Rossetto, M. Meneghini, A. Tajalli, S. Dalcanale, C. De Santi, P. Moens, A. Banerjee, E. Zanoni, G. Meneghesso
Pubblicato in: IEEE Transactions on Electron Devices, Numero 64/9, 2017, Pagina/e 3734-3739, ISSN 0018-9383
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/TED.2017.2728785

Trapping phenomena and degradation mechanisms in GaN-based power HEMTs

Autori: Matteo Meneghini, Alaleh Tajalli, Peter Moens, Abhishek Banerjee, Enrico Zanoni, Gaudenzio Meneghesso
Pubblicato in: Materials Science in Semiconductor Processing, Numero 78, 2018, Pagina/e 118-126, ISSN 1369-8001
Editore: Pergamon Press
DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.009

Modeling the Non-Equilibrium Process of the Chemical Adsorption of Ammonia on GaN(0001) Reconstructed Surfaces Based on Steepest-Entropy-Ascent Quantum Thermodynamics

Autori: Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
Pubblicato in: Materials, Numero 10/8, 2017, Pagina/e 948, ISSN 1996-1944
Editore: MDPI Open Access Publishing
DOI: 10.3390/ma10080948

DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000 1¯) metalorganic vapor phase epitaxy

Autori: Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Kenji Shiraishi, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, Koichi Kakimoto, Hiroshi Amano
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 111/14, 2017, Pagina/e 141602, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4991608

GaN-on-silicon high-electron-mobility transistor technology with ultra-low leakage up to 3000 V using local substrate removal and AlN ultra-wide bandgap

Autori: Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, Farid Medjdoub
Pubblicato in: Applied Physics Express, Numero 11/3, 2018, Pagina/e 034102, ISSN 1882-0778
Editore: Japan Soc of Applied Physics
DOI: 10.7567/apex.11.034102

Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits

Autori: S. Besendörfer, E. Meissner, A. Tajalli, M. Meneghini, J. A. Freitas, J. Derluyn, F. Medjdoub, G. Meneghesso, J. Friedrich, T. Erlbacher
Pubblicato in: Journal of Applied Physics, Numero 127/1, 2020, Pagina/e 015701, ISSN 0021-8979
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5129248

Interplay between C-doping, threading dislocations, breakdown, and leakage in GaN on Si HEMT structures

Autori: S. Besendörfer, E. Meissner, T. Zweipfennig, H. Yacoub, D. Fahle, H. Behmenburg, H. Kalisch, A. Vescan, J. Friedrich, T. Erlbacher
Pubblicato in: AIP Advances, Numero 10/4, 2020, Pagina/e 045028, ISSN 2158-3226
Editore: American Institute of Physics Inc.
DOI: 10.1063/1.5141905

OFF-state trapping phenomena in GaN HEMTs: Interplay between gate trapping, acceptor ionization and positive charge redistribution

Autori: E. Canato, M. Meneghini, C. De Santi, F. Masin, A. Stockman, P. Moens, E. Zanoni, G. Meneghesso
Pubblicato in: Microelectronics Reliability, Numero 114, 2020, Pagina/e 113841, ISSN 0026-2714
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2020.113841

The Effects of AlN and Copper Back Side Deposition on the Performance of Etched Back GaN/Si HEMTs

Autori: Georges Pavlidis, Samuel H. Kim, Idriss Abid, Malek Zegaoui, Farid Medjdoub, Samuel Graham
Pubblicato in: IEEE Electron Device Letters, Numero 40/7, 2019, Pagina/e 1060-1063, ISSN 0741-3106
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2019.2915984

ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping

Autori: E. Canato, M. Meneghini, A. Nardo, F. Masin, A. Barbato, M. Barbato, A. Stockman, A. Banerjee, P. Moens, E. Zanoni, G. Meneghesso
Pubblicato in: Microelectronics Reliability, Numero 100-101, 2019, Pagina/e 113334, ISSN 0026-2714
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2019.06.026

Conference proceedings (6)

Remarkable Breakdown Voltage on AlN/AlGaN/AlN double heterostructure

Autori: M. Germain;Farid Medjdoub;H. Miyake;Elke Meissner;J. Derluyn;Riad Kabouche;Idriss Abid;Sven Besendörfer;S. Degroote
Pubblicato in: International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, CS MANTECH 2019, Apr 2019, Minneapolis, United States, 2019
Editore: CS MANTECH

GaN-on-Silicon buffer decomposition experiment: analysis of the vertical leakage current

Autori: Borga, M.; MENEGHINI, M.; Benazzi, D; Püsche, R; Derluyn, J; Abid, I; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Pubblicato in: 43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Numero 2, 2019
Editore: CNRS - FR

Temperature dependent substrate trapping in AlGaN/GaN power devices and the impact on dynamic ron

Autori: Arno Stockman, Michael Uren, Alaleh Tajalli, Matteo Meneghini, Benoit Bakeroot, Peter Moens
Pubblicato in: 2017 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2017, Pagina/e 130-133, ISBN 978-1-5090-5978-2
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/ESSDERC.2017.8066609

Total suppression of dynamic-ron in AlGaN/GaN-HEMTs through proton irradiation

Autori: M. Meneghini, A. Tajalli, P. Moens, A. Banerjee, A. Stockman, M. Tack, S. Gerardin, M. Bagatin, A. Paccagnella, E. Zanoni, G. Meneghesso
Pubblicato in: 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017, Pagina/e 33.5.1-33.5.4, ISBN 978-1-5386-3559-9
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM.2017.8268492

On the origin of the leakage current in p-gate AlGaN/GaN HEMTs

Autori: A. Stockman, E. Canato, A. Tajalli, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni, P. Moens, B. Bakeroot
Pubblicato in: 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2018, Pagina/e 4B.5-1-4B.5-4, ISBN 978-1-5386-5479-8
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/IRPS.2018.8353582

Remarkable Breakdown Voltage on AlN/AlGaN/AlN double heterostructure

Autori: I. Abid, R. Kabouche, F. Medjdoub, S. Besendorfer, E. Meissner, J. Derluyn, S. Degroote, M. Germain, H. Miyake
Pubblicato in: 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2020, Pagina/e 310-312, ISBN 978-1-7281-4836-6
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/ispsd46842.2020.9170170

Diritti di proprietà intellettuale

Patent (7)

ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR INCLUDING A GATE ELECTRODE

Numero candidatura/pubblicazione: 20 1816052041
Data: 2018-08-01
Candidato/i: BELGAN BV

Electronic device including a transistor including III-V materials and a process of forming the same

Numero candidatura/pubblicazione: 20 1815916428
Data: 2018-03-09
Candidato/i: BELGAN BV

PROCESS OF FORMING AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING AN ACCESS REGION

Numero candidatura/pubblicazione: 20 1816025085
Data: 2018-07-02
Candidato/i: BELGAN BV

Electronic Device Including a Transistor with a Non-uniform 2DEG

Numero candidatura/pubblicazione: 20 1816148127
Data: 2018-10-01
Candidato/i: BELGAN BV

ELECTRONIC DEVICE INCLUDING AN ACCESS REGION AND A PROCESS OF FORMING THE SAME

Numero candidatura/pubblicazione: 20 1815997122
Data: 2018-06-04
Candidato/i: BELGAN BV

III-V semiconductor device and method therefor

Numero candidatura/pubblicazione: 20 1715422764
Data: 2017-02-02
Candidato/i: BELGAN BV

PROCESS OF FORMING AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A TRANSISTOR STRUCTURE

Numero candidatura/pubblicazione: 20 1715662622
Data: 2017-07-28
Candidato/i: BELGAN BV