High Performance and High Yield Heterogeneous III-V/Si Photonic Integrated Circuits using a Thin and Uniform Bonding Layer

Projektinformationen

PICTURE

ID Finanzhilfevereinbarung: 780930

DOI

10.3030/780930

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 21 November 2017

Startdatum 1 Januar 2018

Enddatum 31 Dezember 2021

Finanziert unter

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)

Gesamtkosten

€ 4 050 477,50

EU-Beitrag

€ 3 924 532,50

Koordiniert durch

III-V LAB
France

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Leistungen

Documents, reports (1)

First press release on PICTURE project

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Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (1)

O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate

Autoren: Keshuang Li, Zizhuo Liu, Mingchu Tang, Mengya Liao, Dongyoung Kim, Huiwen Deng, Ana M. Sanchez, R. Beanland, Mickael Martin, Thierry Baron, Siming Chen, Jiang Wu, Alwyn Seeds, Huiyun Liu
Veröffentlicht in: Journal of Crystal Growth, Ausgabe 511, 2019, Seite(n) 56-60, ISSN 0022-0248
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.016

Conference proceedings (1)

High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate

Autoren: Claire Besancon, Jean Decobert, Jean-Pierre Le Goec, Nicolas Vaissiere, Cécilia Dupré, Viviane Muffato, Frank Fournel, Christophe Jany, Franck Bassani, Sylvain David and Thierry Baron
Veröffentlicht in: Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019, Ausgabe Yearly, 2019
Herausgeber: Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019