High Performance and High Yield Heterogeneous III-V/Si Photonic Integrated Circuits using a Thin and Uniform Bonding Layer

Informacje na temat projektu

PICTURE

Identyfikator umowy o grant: 780930

DOI 10.3030/780930

Projekt został zamknięty

Data podpisania przez KE 21 Listopada 2017

Data rozpoczęcia 1 Stycznia 2018

Data zakończenia 31 Grudnia 2021

Finansowanie w ramach

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)

Koszt całkowity € 4 050 477,50

Wkład UE € 3 924 532,50

Koordynowany przez

III-V LAB
France

Rezultaty

Documents, reports (1)

First press release on PICTURE project

See relevant WP description table.

Publikacje

Peer reviewed articles (1)

O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate

Autorzy: Keshuang Li, Zizhuo Liu, Mingchu Tang, Mengya Liao, Dongyoung Kim, Huiwen Deng, Ana M. Sanchez, R. Beanland, Mickael Martin, Thierry Baron, Siming Chen, Jiang Wu, Alwyn Seeds, Huiyun Liu
Opublikowane w: Journal of Crystal Growth, Numer 511, 2019, Strona(/y) 56-60, ISSN 0022-0248
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.016

Conference proceedings (1)

High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate

Autorzy: Claire Besancon, Jean Decobert, Jean-Pierre Le Goec, Nicolas Vaissiere, Cécilia Dupré, Viviane Muffato, Frank Fournel, Christophe Jany, Franck Bassani, Sylvain David and Thierry Baron
Opublikowane w: Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019, Numer Yearly, 2019
Wydawca: Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019