High Performance and High Yield Heterogeneous III-V/Si Photonic Integrated Circuits using a Thin and Uniform Bonding Layer

Informations projet

PICTURE

N° de convention de subvention: 780930

DOI 10.3030/780930

Projet clôturé

Date de signature de la CE 21 Novembre 2017

Date de début 1 Janvier 2018

Date de fin 31 Decembre 2021

Financé au titre de

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)

Coût total € 4 050 477,50

Contribution de l’UE € 3 924 532,50

Coordonné par

III-V LAB
France

Livrables

Documents, reports (1)

First press release on PICTURE project

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Publications

Peer reviewed articles (1)

O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate

Auteurs: Keshuang Li, Zizhuo Liu, Mingchu Tang, Mengya Liao, Dongyoung Kim, Huiwen Deng, Ana M. Sanchez, R. Beanland, Mickael Martin, Thierry Baron, Siming Chen, Jiang Wu, Alwyn Seeds, Huiyun Liu
Publié dans: Journal of Crystal Growth, Numéro 511, 2019, Page(s) 56-60, ISSN 0022-0248
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.016

Conference proceedings (1)

High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate

Auteurs: Claire Besancon, Jean Decobert, Jean-Pierre Le Goec, Nicolas Vaissiere, Cécilia Dupré, Viviane Muffato, Frank Fournel, Christophe Jany, Franck Bassani, Sylvain David and Thierry Baron
Publié dans: Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019, Numéro Yearly, 2019
Éditeur: Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019