High Performance and High Yield Heterogeneous III-V/Si Photonic Integrated Circuits using a Thin and Uniform Bonding Layer

Información del proyecto

PICTURE

Identificador del acuerdo de subvención: 780930

DOI

10.3030/780930

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 21 Noviembre 2017

Fecha de inicio 1 Enero 2018

Fecha de finalización 31 Diciembre 2021

Financiado con arreglo a

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)

Coste total

€ 4 050 477,50

Aportación de la UE

€ 3 924 532,50

Coordinado por

III-V LAB
France

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Resultado final

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Publicaciones

Peer reviewed articles (1)

O-band InAs/GaAs quantum dot laser monolithically integrated on exact (0 0 1) Si substrate

Autores: Keshuang Li, Zizhuo Liu, Mingchu Tang, Mengya Liao, Dongyoung Kim, Huiwen Deng, Ana M. Sanchez, R. Beanland, Mickael Martin, Thierry Baron, Siming Chen, Jiang Wu, Alwyn Seeds, Huiyun Liu
Publicado en: Journal of Crystal Growth, Edición 511, 2019, Página(s) 56-60, ISSN 0022-0248
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.016

Conference proceedings (1)

High-quality Epitaxial Growth of AlGaInAs-based Active Structure on a Directly-Bonded InPoSi Substrate

Autores: Claire Besancon, Jean Decobert, Jean-Pierre Le Goec, Nicolas Vaissiere, Cécilia Dupré, Viviane Muffato, Frank Fournel, Christophe Jany, Franck Bassani, Sylvain David and Thierry Baron
Publicado en: Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019, Edición Yearly, 2019
Editor: Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019