Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2022-12-23

Low thermal budget epitaxy of SI and SI-alloys

Cel



Low thermal budget epitaxy of Si and SiGe allows to obtain thin monocrystal line layers with very sharp dopant transitions. Therefore, it allows to : cope with the requirements of IC miniturisation in the vertical dimension. The original Network programme is specifically aiming at the exploration of the possibilities of strained SiGe layers grown by various low temperature techniques. In this COST-proposal, two associated partners from Central Europe are presenting a scientifical cooperation project to participate in the mentioned Network. A first partner, Microvacuum Ltd., who is an industrial company, will concentrate on the development of an advanced commercial RTCVD-reactor. This is an ongoing project, partly financed by the Hungarian Academy of Sciences. Microvauum Ltd aims at learning and gathering of experience by developing close contacts with the partners of the existing Network. In this way, a lot of "dead end" streets can be avoided so speeding uptheir research. On the other hand, considerable attention will be devoted to substrate precleaning, plasma enhancement and the effect of C1-content of the reaction gasès. The results of this work are open the Network-partners. Microvacuum is also willing to share their knowledge and experience in building and installing of LPCVD-aquipments and toxic, hazardous gas distribution systems with the Network-partners. A second partner is the Research Institute for Particle and Nuclear Physics of the Hungarian Academy of Sciences. Their main interest is in the fabrication and characterization of epitaxial and mesotaxial transition metal-silicide layers in Si and SiGe epi-layers. This is a particularly important topic because it can fill an existing gap in advanced micro-electronic IC-schemes with respect to contacting-metallisation. Eespecially for SiGe, this would be a significant contribution to and extension of the Network-programme. Fabrication of the layers is planned to be carried out by deposition of transition metals, mainly Fe and Co, by PVD and/or Ion Implantation. The structural epi-quality, the local electronic structure and electrical properties of these layers will be determinded by Mössbauer spectroscopy, XRD, RBS and He-ion channeling.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Projekt nie został jeszcze sklasyfikowany według klasyfikacji EuroSciVoc.
Wskaż dziedziny nauki, które twoim zdaniem są najbardziej istotne z punktu widzenia tego projektu i pomóż nam usprawnić naszą usługę klasyfikacji.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

Brak dostępnych danych

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

CSC - Cost-sharing contracts

Koordynator

INTERUNIVERSITAIR MIKRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW
Wkład UE
Brak danych
Adres
75,Kapeldreef 75
3001 HEVERLEE
Belgia

Zobacz na mapie

Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych

Uczestnicy (2)

Moja broszura 0 0