Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-04-15

VACUUM-UV-PHOTO-CVD FOR AMORPHOUS SILICON CARBON ALLOYS.

Cel

FOR A SOFT DEPOSITION OF AMORPHOUS SIC ALLOYS A SPECIFIC PHOTO CVD PROCESS IS PROPOSED, WHICH CAN BE EXPECTED TO IMPROVE THE P+/I-INTERFACE IN A-SIH-P-I-N SOLAR CELLS.
There is strong evidence that the addition of diborane to the silane gas phase for p-type doping of amorphous silicon pin structures causes dramatic changes in plasma parameters compared with pure silane discharges or mixtures of silane and phosphine. Considerable changes are produced in the properties of boron doped films, compared with undoped or n-doped ones, including a decrease in hydrogen content, gap narrowing, grainy structures and a decrease in dopability. In addition, interface states at the pi interface, which reduce the current of minority carriers in solar cells, are also produced.
A VACCUM-UV-PHOTO-CVD REACTOR FOR DIRECT DECOMPOSITION OF SIH4, SI2H6, B2H6, AND OF HYDROCARBONS (CH4, C4H10) HAS BEEN OPERATED WITH A GASEOUS TRANSMISSION FILTER BETWEEN DEPOSITION CHAMBER AND D2-LAMP. GROWTH RATES MAINLY DEPEND ON TOTAL GAS PRESSURE, WINDOW-TO-SUBSTRATE DISTANCE, AND SPATIAL GAS FLOW DISTRIBUTION IN THE REACTOR. UNDOPED A-SI:H AND A-SIC:H FILMS SHOW FERMI LEVEL POSITION NEAR MIDGAP AND PHOTOCONDUCTIVITIES EXCEEDING THE DATA FOR GLOW DISCHARGE DEPOSITED FILMS. A SHIFT OF FERMI LEVEL POSITION TOWARDS THE VALENCE BAND HAS BEEN ACHIEVED WITH B2H6 DOPING. FOR OPTICAL BANDGAP EG = 2.24 EV ACTIVATION ENERGY DETERMINED FROM TEMPERATURE DEPENDENT DARK CONDUCTIVITY DECREASES FROM > 1 EV (INTRINSIC LAYERS) TO 0.42 EV FOR HEAVILY DOPED FILMS. C-INCORPORATION IS MORE EFFECTIVE WITH C4H10 COMPARED TO CH4 BECAUSE OF HIGHER ABSORPTION CROSS SECTION. SINCE PHOTO CVD GROWTH RATES WITH OUR COMMERCIAL D2-LAMP ARE ABOUT 2 ORDERS OF MAGNITUDE LOWER THAN GLOW DISCHARGE DEPOSITION RATES, A NOVEL LARGE AREA VUV LAMP BASED UPON DIELECTRIC BARRIER DISCHARGES HAS BEEN BUILT.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Brak dostępnych danych

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

Brak dostępnych danych

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

CSC - Cost-sharing contracts

Koordynator

UNIVERSITAET STUTTGART
Wkład UE
Brak danych
Adres
Keplerstrasse 7
70174 STUTTGART
Niemcy

Zobacz na mapie

Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych
Moja broszura 0 0