Cel
In this project, we will demonstrate a novel class of tunable semiconductor laser diodes (LDs) whose tuning mechanism relies on the quantum-confined Stark effect. This will be achieved by appropriately redesigning the LD active region, such that a fraction of the injected carriers create, in parallel with the lasing action, a space-charge electric field that tunes the lasing wavelength. In this project, we will demonstrate a novel class of tunable semiconductor laser diodes (LDs) whose tuning mechanism relies on the quantum-confined Stark effect. This will be achieved by appropriately redesigning the LD active region, such that a fraction of the injected carriers create, in parallel with the lasing action, a space-charge electric field that tunes the lasing wavelength.
OBJECTIVES
The ultimate objective of this project is to develop a new class of tunable semiconductor laser diodes (LDs) whose tuning mechanism is based on the quantum-confined Stark effect (QCSE). Compared to other tunable LD solutions found in the literature, the QCSE-tunable LDs are compact and simple to process, require single-current control, and can exhibit wide tuning ranges with GHz modulation rates. The general objective in this one-year assessment period is to show the feasibility of this innovative approach, by demonstrating in a semiconductor LD significant wavelength tuning due to QCSE.
Specifically, in this period we will:
(i) demonstrate in InGaAs/AlGaAs-based LDs, grown along (100), a tuning range larger than 3nm at 900nm;
(ii) demonstrate in InGaAs/AlGaAs-based LDs, grown along (111), a tuning range larger than 6nm at 900nm.
DESCRIPTION OF WORK
For demonstration purposes, in this one-year assessment period we will concentrate our efforts on the InGaAs/AlGaAs heterostructure system, even though it should be mentioned that our approach is entirely transposable to any semiconductor system, including those emitting at telecom wavelengths.
The project can be partitioned in two main workpackages: WP1: QCSE-Tunable LD, Along (100). A series of InGaAs/AlGaAs LDs, grown on GaAs (100) substrates, will be fabricated and characterized. In the different samples, we will vary important parameters of the active region, such as width and composition of barrier and quantum well layers, in order to enhance the tunability range of the device.
WP2: QCSE-Tunable LD, along (111). In this part of the work, InGaAs/AlGaAs LDs on (111) GaAs substrates will be fabricated and characterized. The exact design of the (111) active region will be based on the conclusions of WP1 on (100) tunable LDs. Compared to the (100) configuration, the main difference here is that the active quantum well will contain a piezoelectric field of 50-100 kV/cm, which will allow us to enhance significantly the device tunability.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka fizyka laserów
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
71110 IRAKLIO, CRETE
Grecja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.