Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-05-24

ADvAnced Memories bAsed oN discrete-Traps

Cel

The ADAMANT project aims to investigate the feasibility and competitiveness of the "Discrete-Trap" storage mechanism, for future generations of stand-alone and embedded Non Volatile Memories. Research and development carried out in the project will address the 100nm Flash Technology node and prepare the 80nm generation.

The main objectives will be:
- Study the two most promising technological solutions for discrete-traps storage nodes (e.g. nano-islands of semiconductor materials and continuous natural trapping layers);
- Evaluation of single memory cells based on discrete-trap storage nodes;
- Development and characterization of large memory arrays (from Kbit to Mbit) based on discrete;
-trap storage nodes;
- Development of comprehensive and predictive modelling.

Objectives:
The ADAMANT project aims to investigate the feasibility and competitiveness of the "Discrete-Trap" storage mechanism, for future generations of stand-alone and embedded Non Volatile Memories. Research and development carried out in the project will address the 100nm Flash Technology node and prepare the 80nm generation.

Work description:
The ADAMANT project focuses on memory innovation, with the aim to investigate the potential of the "Discrete Trap" storage mechanism to guarantee the continuous Flash cell scaling beyond the 80nm technology node.

The work within ADAMANT will involve four closely connected activities:
I. Engineering of discrete-trap storage nodes - Nano-islands of semiconductor materials (Si-dots, SiN-dots), fabricated by state-of-the-art LPCVD, will be studied by some partners. Other partners will develop and optimise continuous natural trapping layers (LPCVD-Si3N4, ALCVD-Al2O3);
II. Evaluation of single memory cells based on discrete-trap storage nodes - Discrete-trap storage nodes will be integrated in 1-transistor and 2-transistors memory cells, using advanced technologies (0.18-0.1µm) and scaled tunnel oxide (<7nm). An in-depth electrical characterization of memory cells will be performed to clearly define the optimum program/erase conditions for Discrete-Traps memories;
III Evaluation of large memory arrays based on discrete-trap storage nodes - Large memory array demonstrators (from Kbit to Mbit) with discrete-trap storage nodes will be fabricated. Emphasis will be done to the evaluation of statistical fluctuations of device characteristics and reliability issues. A theoretical architectural study to optimise array organization will be performed in view of future industrial implementation;
IV. Development of comprehensive and predictive modelling - Simulations of performances and reliability characteristics of memory cells and memory arrays based on discrete-trap storage nodes will be also performed, to optimise the memory cell architecture, to evaluate cell shrink ability potential, to develop extrapolation models for the reliability assessment of scaled industrial discrete-traps memory products.

Milestones:
M1. At T0+9 months: qualification of the discrete storage node materials and deposition processes and selection of best solutions for integration in the memory array demonstrator;
M2. At T0+18 months: assessment of the feasibility of a discrete-trap memory array;
M3. At T0+24 months: evaluation of competitiveness and development potential of Discrete-Trap based Non Volatile Memories.
Decision point for a further project aimed at the industrial implementation of these devices.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

Brak dostępnych danych

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

CSC - Cost-sharing contracts

Koordynator

COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Wkład UE
Brak danych
Adres
31-33 RUE DE LA FEDERATION
75752 PARIS CEDEX 15
Francja

Zobacz na mapie

Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych

Uczestnicy (8)

Moja broszura 0 0