Cel
As the environmental costs associated with fossil and nuclear fuels become more apparent, the case for clean energy sources, such as solar cells, becomes increasingly strong. The major problem with solar cells is the efficiency with which the light is converted into electrical energy and the fabrication costs. This research project directly addresses these problems by applying recent and revolutionary developments in silicon bipolar technology to the fabrication of silicon solar cells.
The results showed large reductions in series resistance of solar cells with polysilicon emitter technology contacts. The researchers demonstrated that a fluorine implant had a double effect on the performance of the cells: it reduced the series resistance and improved the passivation of the surface of the cell. Overall, an efficiency of 15.3% was achieved by using a back polysilicon contact.
The particular development of interest is the polysilicon emitter, which has led to a factor of more than five in circuit speed over the last ten years. The application of this technology to silicon solar cells should lead to significant improvements in efficiency. Preliminary calculations suggest improvements in the efficiency of state of the art solar cells. There is also no way of improving low recombination emitter design which would lead to large improvements. The concept underlying the low recombination polysilicon emitter is the minimization of all components of
recombination. In a state of the art polysilicon emitter two recombination terms generally dominate, namely recombination in the single crystal emitter and recombination at the polysilicon-silicon interface. The first term is minimized by using novel fabrication techniques to decrease the doping concentration in the single crystal emitter, thereby reducing Auger recombination. The second term is minimized by passivating the interface states using a technique recently developed at Southampton University. The application of this technique to bipolar transistors has led to world record gain transistors.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
08034 BARCELONA
Hiszpania
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.