Influence of the Mission Profile on the Selection of the Leakage Inductance for DAB converter
Autoren:
A. Campos, P. Dworakowski, B. Asllani, K. Vershinin
Veröffentlicht in:
EPE 2025
Herausgeber:
EPE 2025
Solid insulation electrical endurance assessment under square voltage,
Autoren:
M. Balde
Veröffentlicht in:
CEIDP September 14-17, 2025 (IEEE Conference on Electrical I5nsulation and Dielectric Phenomena), Manchester, 202
Herausgeber:
IEEE Conference 2025
A Dual-Channel Gate Driver Design with Active Voltage Balancing Circuit for Series Connection of SiC MOSFETs
Autoren:
Rui Wang, Drazen Dujic
Veröffentlicht in:
ECCE Aisa 2024, 2024, ISBN 979-8-3503-5133-0
Herausgeber:
IEEE
Development of 15kV SiC-IGBT technology at Hitachi Energy
Autoren:
N
Veröffentlicht in:
ECPE Workshop
Herausgeber:
ECPE Workshop
Minimizing edge termination footprint in UHV SiC power devices: an area-efficient edge structure for power devices rated over 10kV
Autoren:
n
Veröffentlicht in:
ISCRM25
Herausgeber:
ISCRM25
Integrated Short-Circuit Protection Design Based on Dual-Channel Gate Driver for Series Connected Medium-Voltage SiC MOSFETs
Autoren:
Rui Wang, Drazen Dujic
Veröffentlicht in:
APEC 2024
Herausgeber:
APEC 2024
Pushing the limits: Advanced SiC detectors for operation in harsh environments
Autoren:
G. Pellegrini
Veröffentlicht in:
CERN invited talk
Herausgeber:
CERN