HETEROGENEOUS MATERIAL AND TECHNOLOGICAL PLATFORM FOR A NEW DOMAIN OF POWER NANOELECTRONICS

Projektinformationen

NANOMAT

ID Finanzhilfevereinbarung: 101091433

DOI 10.3030/101091433

EK-Unterschriftsdatum 14 November 2022

Startdatum 1 Dezember 2022

Enddatum 30 November 2025

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten € 4 125 051,25

EU-Beitrag € 4 125 051,00

Koordiniert durch

THALES
Frankreich

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Dokumente, Berichte (6)

Progress Management Reports Y1
Risk management (6 months update)
Dissemination and Communication report Y1
Progress Activity Report Y1
Yearly report on benchmarking Y1
NANOMAT PDE

Sonstiges (2)

Device use case trained models for machine learning
Device use case trained models for machine learning-2

Device use case trained models for machine learning

Datenmanagementplan (1)

NANOMAT DMP

Websites, Patentanmeldungen, Videos etc. (1)

NANOMAT website

Veröffentlichungen

Konferenzprotokolle (16)

Determination of III-Nitride compound semiconductors polarity by SPM methods

Autoren: K. Tsagaraki, A. Adikimenakis, A. Kostopoulos and A. Georgakilas
Veröffentlicht in: Micor Nano 2024, 2024
Herausgeber: None

A study of Nanocrystalline Diamond electrical properties for RF-MEMS capacitive switches application

Autoren: I.Kochylas, J. Theocharis, G.Papaioannou, Z.Afshin
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: None

An experimental study of power related reliability in RF MEMS capacitive switches

Autoren: L. Michalas, A. Ngabonziza, G. Stavrinidis, P. Martins, M. le Baillif, A. Ziaei and G. Konstantinidis
Veröffentlicht in: Micro Nano 2024, 2024
Herausgeber: None

On the electrical properties of ALD HfO2 dielectric films for MEMS capacitive switches

Autoren: J. Theocharis, J. P. Martins, A. Mahjoub, E. Eustache, A. Ziaei, G. Papaioannou
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: sciencedirect

Electrical Characterization of HfO2 Dielectric Films Deposited by ALD for RF-MEMS Capacitive Switches

Autoren: J. Theocharis, J. P. Martins,A. Mahjoub,E. Eustache, A. Ziaei and G. Papaioannou
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: None

Aging Investigations under Mechanical Stress on special Thermal Interface Materials

Autoren: Antonio Harder, Santiago Campos-Boettges and Mohamad Abo Ras
Veröffentlicht in: SEMI-THERM Conference 2023, 2023
Herausgeber: IEEE

Electrical Properties of Y2O3 for MEMS Applications

Autoren: I. Kochilas, J. P. Martins, J. Theocharis, A. Mahjoub, E. Eustache, A. Ziaei, G. Papaioannou
Veröffentlicht in: EuroSimE 2025, 2025
Herausgeber: None

Growth and performance of n++GaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures for E/D-mode HEMTs applications

Autoren: M. Blaho, D. Greguov, O. Pohorelec, S. Hasenhrl, P. Eli, F. Gucmann, E. Dobroka, Z. Zpran, . Hak, M. Kayambaki, M. Androulidaki, G. Konstantinidis, and J. Kuzmk
Veröffentlicht in: 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), 2024
Herausgeber: None

Finite Element Simulation of Accelerated Stress Testing and Damage Detection for Micro and Nano Structures Using Surface Acoustic Waves (SAWs)

Autoren: Arash Mohammadi, George Boldeiu, Dan Vasilache, Afshin Ziaei, Bernhard Wunderle
Veröffentlicht in: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/EuroSimE60745.2024.10491501

Advanced Threshold voltage extraction methodologies for GaN High Electron Mobility Transistors

Autoren: L. Chevas, N. Makris, M. Kayambaki, A. Kostopoulos, A. Stavrinidis, E. Lourandakis, G. Konstantinidis and M. Bucher
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: Micro Nano 2023

Thermal Effects in Surface Acoustic Wave Devices Induced by Damping

Autoren: George Boldeiu, Alexandra Nicoloiu, Arash Mohammadi, Claudia Nastase, Monica Nedelcu, Ioana Zdru, Dan Vasilache, Adrian Dinescu, Bernhard Wunderle, Alexandru Muller
Veröffentlicht in: EuroSimE2025, 2025
Herausgeber: None

Exploring Relaxation and Recovery Effects in Thermal Interface Materials

Autoren: Santiago Campos-Boettges, Antonio Harder and Mohamad Abo Ras
Veröffentlicht in: 17th Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal Management, 2024
Herausgeber: None

Considering Sustainability in Nanofabrication Cleanrooms: Initial Thoughts to Accelerate the Concept

Autoren: V. Kontomitrou, S. Lymperapoulou, G. Stavrinidis, A. Stavrinidis, A. Kostopoulos, G. Konstantinidis and L. Michalas
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: None

High-power RF MEMS capacitive switches: Considering the self-actuation effect

Autoren: L. Michalas, G. Stavrinidis, A. Stavrinidis, K. Tsagaraki and G. Konstantinidis
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: Mico Nano 2024

Study of the optical properties and stoichiometry of Silicon Nitride thin films grown on different substrates

Autoren: M. Androulidaki, A. Stavrinidis, C.C. Katsidis, L. Michalas, K. Tsagaraki and G. Konstantinidi
Veröffentlicht in: 2023
Herausgeber: Micro Nano 2023

Development of Hall Measurements in Nanomaterials

Autoren: E. Koutantou, G. Veisakis, G. Makris, D. Kosmidis and G. Deligeorgis
Veröffentlicht in: 2024
Herausgeber: None

Fachlich begutachtete Artikel (3)

Growth and performance of n++ GaN cap layer for HEMTs applications

Autoren: J. Kuzmk, M. Blaho, D. Greguov, P. Eli, O. Pohorelec, S. Hasenhrl, . Hak, F. Gucmann, Z. Zpran, E. Dobroka, M. Kyambaki, G. Konstantinidis
Veröffentlicht in: Materials Science in Semiconductor Processing, Ausgabe 185, 2024, ISSN 1369-8001
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.108959

A study of field emission current in MEMS capacitors with bottom electrode covered by dielectric film

Autoren: J. Theocharis, D. Birmpiliotis, S. Gardelis, G. Papaioannou
Veröffentlicht in: Microelectronics Reliability, Ausgabe 150, 2023, ISSN 0026-2714
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2023.115192

Enhanced 2DEG confinement in GaN-based HEMTs: Exploring the role of AlGaN back barriers through Schrdinger - Poisson simulations and experimental validation

Autoren: Athanasios Kostopoulos, Adam Adikimenakis, Katerina Tsagaraki, Maria Kayambaki, Nikolaos Kornilios, George Konstantinidis, Alexandros Georgakilas
Veröffentlicht in: Materials Science in Semiconductor Processing, Ausgabe 188, 2025, ISSN 1369-8001
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mssp.2024.109213

Sonstiges (1)

On the electrical properties of ALD HfO2 dielectric films for MEMS capacitive switches

Autoren: J. Theocharis, J. P. Martins, A. Mahjoub, E. Eustache, A. Ziaei, G. Papaioannou
Veröffentlicht in: Microelectronics Reliability, 2025
Herausgeber: ScienceDirect