HETEROGENEOUS MATERIAL AND TECHNOLOGICAL PLATFORM FOR A NEW DOMAIN OF POWER NANOELECTRONICS

Informacje na temat projektu

NANOMAT

Identyfikator umowy o grant: 101091433

DOI

10.3030/101091433

Data podpisania przez KE 14 Listopada 2022

Data rozpoczęcia 1 Grudnia 2022

Data zakończenia 30 Czerwca 2026

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 4 125 051,25

Wkład UE

€ 4 125 051,00

Koordynowany przez

THALES
France

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Documents, reports (6)

Progress Management Reports Y1
Risk management (6 months update)
Dissemination and Communication report Y1
Progress Activity Report Y1
Yearly report on benchmarking Y1
NANOMAT PDE

Other (2)

Device use case trained models for machine learning
Device use case trained models for machine learning-2

Device use case trained models for machine learning

Data Management Plan (1)

NANOMAT DMP

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

NANOMAT website

Publikacje

Conference proceedings (16)

Determination of III-Nitride compound semiconductors polarity by SPM methods

Autorzy: K. Tsagaraki, A. Adikimenakis, A. Kostopoulos and A. Georgakilas
Opublikowane w: Micor Nano 2024, 2024
Wydawca: None

A study of Nanocrystalline Diamond electrical properties for RF-MEMS capacitive switches application

Autorzy: I.Kochylas, J. Theocharis, G.Papaioannou, Z.Afshin
Opublikowane w: 2024
Wydawca: None

An experimental study of power related reliability in RF MEMS capacitive switches

Autorzy: L. Michalas, A. Ngabonziza, G. Stavrinidis, P. Martins, M. le Baillif, A. Ziaei and G. Konstantinidis
Opublikowane w: Micro Nano 2024, 2024
Wydawca: None

On the electrical properties of ALD HfO2 dielectric films for MEMS capacitive switches

Autorzy: J. Theocharis, J. P. Martins, A. Mahjoub, E. Eustache, A. Ziaei, G. Papaioannou
Opublikowane w: 2024
Wydawca: sciencedirect

Electrical Characterization of HfO2 Dielectric Films Deposited by ALD for RF-MEMS Capacitive Switches

Autorzy: J. Theocharis, J. P. Martins,A. Mahjoub,E. Eustache, A. Ziaei and G. Papaioannou
Opublikowane w: 2024
Wydawca: None

Aging Investigations under Mechanical Stress on special Thermal Interface Materials

Autorzy: Antonio Harder, Santiago Campos-Boettges and Mohamad Abo Ras
Opublikowane w: SEMI-THERM Conference 2023, 2023
Wydawca: IEEE

Electrical Properties of Y2O3 for MEMS Applications

Autorzy: I. Kochilas, J. P. Martins, J. Theocharis, A. Mahjoub, E. Eustache, A. Ziaei, G. Papaioannou
Opublikowane w: EuroSimE 2025, 2025
Wydawca: None

Growth and performance of n++GaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures for E/D-mode HEMTs applications

Autorzy: M. Blaho, D. Gregušová, O. Pohorelec, S. Hasenöhrl, P. Eliáš, F. Gucmann, E. Dobročka, Z. Zápražný, Š. Haščík, M. Kayambaki, M. Androulidaki, G. Konstantinidis, and J. Kuzmík
Opublikowane w: 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), 2024
Wydawca: None

Finite Element Simulation of Accelerated Stress Testing and Damage Detection for Micro and Nano Structures Using Surface Acoustic Waves (SAWs)

Autorzy: Arash Mohammadi, George Boldeiu, Dan Vasilache, Afshin Ziaei, Bernhard Wunderle
Opublikowane w: 2024 25th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2024
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/EuroSimE60745.2024.10491501

Advanced Threshold voltage extraction methodologies for GaN High Electron Mobility Transistors

Autorzy: L. Chevas, N. Makris, M. Kayambaki, A. Kostopoulos, A. Stavrinidis, E. Lourandakis, G. Konstantinidis and M. Bucher
Opublikowane w: 2023
Wydawca: Micro Nano 2023

Thermal Effects in Surface Acoustic Wave Devices Induced by Damping

Autorzy: George Boldeiu, Alexandra Nicoloiu, Arash Mohammadi, Claudia Nastase, Monica Nedelcu, Ioana Zdru, Dan Vasilache, Adrian Dinescu, Bernhard Wunderle, Alexandru Muller
Opublikowane w: EuroSimE2025, 2025
Wydawca: None

Exploring Relaxation and Recovery Effects in Thermal Interface Materials

Autorzy: Santiago Campos-Boettges, Antonio Harder and Mohamad Abo Ras
Opublikowane w: 17th Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal Management, 2024
Wydawca: None

Considering Sustainability in Nanofabrication Cleanrooms: Initial Thoughts to Accelerate the Concept

Autorzy: V. Kontomitrou, S. Lymperapoulou, G. Stavrinidis, A. Stavrinidis, A. Kostopoulos, G. Konstantinidis and L. Michalas
Opublikowane w: 2024
Wydawca: None

High-power RF MEMS capacitive switches: Considering the self-actuation effect

Autorzy: L. Michalas, G. Stavrinidis, A. Stavrinidis, K. Tsagaraki and G. Konstantinidis
Opublikowane w: 2023
Wydawca: Mico Nano 2024

Study of the optical properties and stoichiometry of Silicon Nitride thin films grown on different substrates

Autorzy: M. Androulidaki, A. Stavrinidis, C.C. Katsidis, L. Michalas, K. Tsagaraki and G. Konstantinidi
Opublikowane w: 2023
Wydawca: Micro Nano 2023

Development of Hall Measurements in Nanomaterials

Autorzy: E. Koutantou, G. Veisakis, G. Makris, D. Kosmidis and G. Deligeorgis
Opublikowane w: 2024
Wydawca: None

Peer reviewed articles (3)

Growth and performance of n++ GaN cap layer for HEMTs applications

Autorzy: J. Kuzmík, M. Blaho, D. Gregušová, P. Eliáš, O. Pohorelec, S. Hasenöhrl, Š. Haščík, F. Gucmann, Z. Zápražný, E. Dobročka, M. Kyambaki, G. Konstantinidis
Opublikowane w: Materials Science in Semiconductor Processing, Numer 185, 2024, ISSN 1369-8001
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MSSP.2024.108959

A study of field emission current in MEMS capacitors with bottom electrode covered by dielectric film

Autorzy: J. Theocharis, D. Birmpiliotis, S. Gardelis, G. Papaioannou
Opublikowane w: Microelectronics Reliability, Numer 150, 2023, ISSN 0026-2714
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2023.115192

Enhanced 2DEG confinement in GaN-based HEMTs: Exploring the role of AlGaN back barriers through Schrödinger - Poisson simulations and experimental validation

Autorzy: Athanasios Kostopoulos, Adam Adikimenakis, Katerina Tsagaraki, Maria Kayambaki, Nikolaos Kornilios, George Konstantinidis, Alexandros Georgakilas
Opublikowane w: Materials Science in Semiconductor Processing, Numer 188, 2025, ISSN 1369-8001
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MSSP.2024.109213

Other (1)

On the electrical properties of ALD HfO2 dielectric films for MEMS capacitive switches

Autorzy: J. Theocharis, J. P. Martins, A. Mahjoub, E. Eustache, A. Ziaei, G. Papaioannou
Opublikowane w: Microelectronics Reliability, 2025
Wydawca: ScienceDirect