Opis projektu
Materiały ferroelektryczne zwiększają sprawność układów elektronicznych
Zespół finansowanego ze środków działania „Maria Skłodowska-Curie” projektu OSE-Ferroelectrics zamierza poprawić efektywność energetyczną urządzeń elektronicznych, takich jak tranzystory i pamięci, dzięki zastosowaniu materiałów ferroelektrycznych. Jednym z głównych wyzwań dotyczących urządzeń ferroelektrycznych jest negatywny wpływ redukcji grubości na kluczowe właściwości, takie jak polaryzacja szczątkowa, napięcie koercji i prąd upływu. Zespół projektu OSE-Ferroelectrics zajmie się tymi wyzwaniami, dostosowując projekt heterostruktury i obserwując wynikające z niego właściwości. W celu lokalnej oceny właściwości krystalicznych i ferroelektrycznych badacze wykorzystają metody skaningowe i optyczne. Niezależna ocena struktury elektronowej pomoże zrozumieć zjawisko transportu ładunku przez złącza ferroelektryczne. Wyniki projektu mogą mieć znaczący wpływ na wykorzystanie tlenków ferroelektrycznych w przemyśle półprzewodnikowym.
Cel
The rapid increase in power consumption for data collection, storage and processing drives a global interest in finding new energy-efficient device paradigms. Ferroelectric materials can provide energy-efficient solutions for targeted applications such as transistors based on polarization-induced negative capacitance or memory devices based on polarization-controlled resistive switching. The crucial properties of ferroelectric-based heterostructures in electronic applications are remanent polarization, coercive voltage and leakage current because they limit the ON/OFF ratio, energy efficiency and charge transport properties of any device. However, uncompensated bound charge and defects at ferroelectric interfaces result in polarization suppression, increase of coercive voltage and uncontrolled charge carrier formation. The purpose of OSE-Ferroelectrics is to assess the possibility of tackling these size effects in ferroelectric thin films. In OSE-Ferroelectrics, I propose a path to an ambitious goal of overturning ferroelectric size effects by tailoring the heterostructure design and tracking the resulting crystal, electronic and ferroelectric properties. The two cornerstones of the proposal are: (i) adoption of combination of scanning-probe and optical techniques to locally evaluate the crystal, defect, and ferroelectric properties, and (ii) use of independent evaluation of electronic structure, charge carrier concentration and mobility to understand the charge transport properties across ferroelectric interfaces. The research questions and methods addressed in OSE-Ferroelectrics will advance the knowledge of ferroelectric size effects, bring attention to semiconducting properties of ferroelectric layers, and reveal routes for enhancing performance of ferroelectric memory devices. Ultimately, the results of this project would have important implications for the integration of oxide ferroelectrics into the semiconductor industry.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego.
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
- HORIZON.1.2 - Marie Skłodowska-Curie Actions (MSCA) Main Programme
Zaproszenie do składania wniosków
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszeniaSystem finansowania
HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European FellowshipsKoordynator
10000 Zagreb
Chorwacja