Cel
The current trend in microelectronics points towards a further scaling-down of semiconductor devices to nanometre-scale dimensions. This trend is driving the continuing development of micro- and nanofabrication techniques. However, understanding is lacking of electron-transport phenomena in these very small device structures.
The aim of the NANOFET Action was to undertake a systematic investigation of the behaviour of nanometre-scale field-effect transistors. The GaAs-based HFET has been selected for investigation because parasitic phenomena affecting electron transport are minimised in this device. The results expected from this Action will be a major step towards understanding the relationships between the observed device characteristics and the underlying physical phenomena which determine electron transport.
The performance and physical limits of heterostructure field effect (HFET) transistors scaled down to ultrasubmicron dimensions were studied. The main focus is on horizontal electron transport in nanometre scale field effect transistors. The new technologies and methodologies needed to simulate, fabricate and characterize these very small devices were also developed. The results should allow guidelines to be drawn up for the next gneration of HFETs for information technology applications.
The main results of the research have been the following:
fabrication of high performance HFET transistors with gatelength below 0.1 micron and submicron source drain distance;
extensive simulation (1-dimensional and 2-dimensional) of nanometre scale HFETs, using Monte-Carlo and hydrodynamic models;
development of advanced microwave characterization models and techniques for HFETs, both at ambient and at cryogenic temperatures;
development of models and techniques for electrooptic sampling of electron transit times in HFET devices.
APPROACH AND METHODS
-Epitaxial layers. Both AlGaAs/GaAs and strained AlGaAs/InGaAs layers were grown on GaAs by molecular beam epitaxy (MBE). Various layer structures were compared and the vertical dimensions optimised with respect to the horizontal scale of the device. -Device processing. The smallest devices have a nanometre gate-length and a submicron source-drain gap. To fabricate the gate, e-beam-based nanolithography was being used. The fabrication of source, drain and channel regions involves both standard and ad vanced processing steps such as dry-etched gate recess and epitaxial ohmic contacts.
-Device simulation. Monte Carlo techniques were used to investigate electron transport in very small two-dimensional structures.
-Electrical characterisation. Complete HF characterisation was performed on-wafer, using the proper de-embedding techniques. Small-signal parametric models are under development.
-Electro-optic sampling. In order to study transient transport in very small devices, electro-optic sampling techniques were developed with femtosecond laser excitations.
PROGRESS AND RESULTS
The main results of the Action have been the following:
-fabrication of high performane HFET transistors with gatelength below 0.1 micron and submicron source-drain distance
-extensive simulation (1D and 2D) of nanometer scale HFET's, using Monte-Carlo and hydrodynamic models
-development of advanced microwave characterization models and techniques for HFET's, both at ambient and at cryogenic temperatures
-development of models and techniques for electro-optic sampling of electron transit times in HFET devices
POTENTIAL
Although the major aim of the consortium is still to obtain fundamental physical information on very small HFET's, the industrial implications of this work have become increasingly clear during the second year. The combination of simulation, processing and characterisation techniques developed in this project has resulted in "classical" devices with record performances. In order to further exploit these results, links have been established with the ESPRIT GIANTS consortium which is carrying out applications-oriented work on submicron HFETs. Collaborative actions between the two Actions have been planned on selected topics.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika mikroelektronika
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka fizyka laserów
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Brak dostępnych danych
Koordynator
3030 Heverlee
Belgia
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.