Leistungen
Functional characterization of CMOS-SET demonstrators
First delivery of wafer-scale pillars with Si nanodots for device fabricationReport on predicted optimum device specifications for demonstrator fabrication
Report on stability studies of nanopillars
Report on stability studies of nanopillars under ion irradiation
Report on optimum processing conditions in planar stacks with HIMReport on process simulation of single Si dot self-assembly
First data from ion beam mixing simulations as input for kinetic Monte-Carlo simulations
Electrical characterization of functional nano-pillars
Report on simulation of electrical performance of silicon nanodot single electron devices
Assessment of silicon nanodot SETs as low-energy dissipation devices
Structural characterization of Si nanodot self-assembly
Report on process definition
Structural characterization of functional nano-pillars
Electrical characterization of Si nanodot self-assembly
Report on Si nanodot self-assembly in Si/SiO2/Si nanopillar stacks
Plan for fabrication of Si nanodot self-assem-bly by ion processing
Report on the first version of process simulator of ion implantation and mixing in Si/SiO2 nanostructures
Assessment of IETS and DA-SDT investiga-tion of defects at the Si/SiO2 interface
Veröffentlichungen
Autoren:
F. Djurabekova, C. Fridlund, K. Nordlund
Veröffentlicht in:
Physical Review Materials, Ausgabe 4/1, 2020, Seite(n) 013601-1 to 013601-12, ISSN 2475-9953
Herausgeber:
American Physical Society
DOI:
10.1103/physrevmaterials.4.013601
Autoren:
Gabriele Seguini, Fabio Zanenga, Gianluca Cannetti, Michele Perego
Veröffentlicht in:
Soft Matter, Ausgabe 16/23, 2020, Seite(n) 5525-5533, ISSN 1744-683X
Herausgeber:
Royal Society of Chemistry
DOI:
10.1039/d0sm00441c
Autoren:
Santiago H Andany, Gregor Hlawacek, Stefan Hummel, Charlène Brillard, Mustafa Kangül, Georg E Fantner
Veröffentlicht in:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Ausgabe 11, 2020, Seite(n) 1272-1279, ISSN 2190-4286
Herausgeber:
Beilstein-Institut Zur Forderung der Chemischen Wissenschaften
DOI:
10.3762/bjnano.11.111
Autoren:
E. Amat, F. Klupfel, J. Bausells, F. Perez-Murano
Veröffentlicht in:
IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 66/10, 2019, Seite(n) 4461-4467, ISSN 0018-9383
Herausgeber:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI:
10.1109/ted.2019.2937141
Autoren:
A. Lopez-Cazalilla, F. Djurabekova, A. Ilinov, C. Fridlund, K. Nordlund
Veröffentlicht in:
Materials Research Letters, Ausgabe 8/3, 2020, Seite(n) 110-116, ISSN 2166-3831
Herausgeber:
Taylor & Francis
DOI:
10.1080/21663831.2019.1711458
Autoren:
Thomas Prüfer, Wolfhard Möller, Karl-Heinz Heinig, Daniel Wolf, Hans-Jürgen Engelmann, Xiaomo Xu, Johannes von Borany
Veröffentlicht in:
Journal of Applied Physics, Ausgabe 125/22, 2019, Seite(n) 225708, ISSN 0021-8979
Herausgeber:
American Institute of Physics
DOI:
10.1063/1.5096451
Autoren:
M.-L. Pourteau, A. Gharbi, P. Brianceau, J.-A. Dallery, F. Laulagnet, G. Rademaker, R. Tiron, H.-J. Engelmann, J. von Borany, K.-H. Heinig, M. Rommel, L. Baier
Veröffentlicht in:
Micro and Nano Engineering, Ausgabe 9, 2020, Seite(n) 100074, ISSN 2590-0072
Herausgeber:
Elsevier
DOI:
10.1016/j.mne.2020.100074
Autoren:
Fabian J. Klupfel
Veröffentlicht in:
IEEE Access, Ausgabe 7, 2019, Seite(n) 84053-84065, ISSN 2169-3536
Herausgeber:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI:
10.1109/access.2019.2924913
Autoren:
Federica E. Caligiore, Daniele Nazzari, Elena Cianci, Katia Sparnacci, Michele Laus, Michele Perego, Gabriele Seguini
Veröffentlicht in:
Advanced Materials Interfaces, Ausgabe 6/12, 2019, Seite(n) 1900503, ISSN 2196-7350
Herausgeber:
Wiley
DOI:
10.1002/admi.201900503
Autoren:
Patricia Pimenta Barros, Ahmed Gharbi, Antoine Fouquet, Sandra Bos, Jérôme Hazart, Florian Delachat, Xavier Chevalier, Ian Cayrefourcq, Laurent Pain, Raluca Tiron
Veröffentlicht in:
Macromolecular Materials and Engineering, Ausgabe 302/11, 2017, Seite(n) 1700285, ISSN 1438-7492
Herausgeber:
John Wiley & Sons Ltd.
DOI:
10.1002/mame.201700285
Autoren:
S Zhang, O H Pakarinen, M Backholm, F Djurabekova, K Nordlund, J Keinonen, T S Wang
Veröffentlicht in:
Journal of Physics: Condensed Matter, Ausgabe 30/1, 2018, Seite(n) 015403, ISSN 0953-8984
Herausgeber:
Institute of Physics Publishing
DOI:
10.1088/1361-648x/aa9868
Autoren:
Esteve Amat, Joan Bausells, Francesc Perez-Murano
Veröffentlicht in:
IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 64/12, 2017, Seite(n) 5172-5180, ISSN 0018-9383
Herausgeber:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI:
10.1109/ted.2017.2765003
Autoren:
Xiaomo Xu, Thomas Prüfer, Daniel Wolf, Hans-Jürgen Engelmann, Lothar Bischoff, René Hübner, Karl-Heinz Heinig, Wolfhard Möller, Stefan Facsko, Johannes von Borany, Gregor Hlawacek
Veröffentlicht in:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Ausgabe 9, 2018, Seite(n) 2883-2892, ISSN 2190-4286
Herausgeber:
Beilstein-Institut Zur Forderung der Chemischen Wissenschaften
DOI:
10.3762/bjnano.9.267
Autoren:
Gabriele Seguini, Fabio Zanenga, Michele Laus, Michele Perego
Veröffentlicht in:
Physical Review Materials, Ausgabe 2/5, 2018, Seite(n) from 055605-1 to 055605-6, ISSN 2475-9953
Herausgeber:
American Physical Society (APS)
DOI:
10.1103/physrevmaterials.2.055605
Autoren:
Elena Cianci, Daniele Nazzari, Gabriele Seguini, Michele Perego
Veröffentlicht in:
Advanced Materials Interfaces, Ausgabe 5/20, 2018, Seite(n) 1801016, ISSN 2196-7350
Herausgeber:
John Wiley & Sons
DOI:
10.1002/admi.201801016
Autoren:
Florian Delachat, Ahmed Gharbi, Patricia Pimenta-Barros, Antoine Fouquet, Guillaume Claveau, Nicolas Posseme, Laurent Pain, Célia Nicolet, Christophe Navarro, Ian Cayrefourcq, Raluca Tiron
Veröffentlicht in:
Nanoscale, Ausgabe 10/23, 2018, Seite(n) 10900-10910, ISSN 2040-3364
Herausgeber:
Royal Society of Chemistry
DOI:
10.1039/c8nr00123e
Autoren:
E. AMAT, R. CANAL, A. CALOMARDE, A. RUBIO
Veröffentlicht in:
International Journal of the Society of Materials Engineering for Resources, Ausgabe 23/1, 2018, Seite(n) 22-29, ISSN 1347-9725
Herausgeber:
Society of Materials Engineering for Resources for Japan
DOI:
10.5188/ijsmer.23.22
Autoren:
Jacopo Frascaroli, Elena Cianci, Sabina Spiga, Gabriele Seguini, Michele Perego
Veröffentlicht in:
ACS Applied Materials & Interfaces, Ausgabe 8/49, 2016, Seite(n) 33933-33942, ISSN 1944-8244
Herausgeber:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acsami.6b11340
Autoren:
C. Fridlund, J. Laakso, K. Nordlund, F. Djurabekova
Veröffentlicht in:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Ausgabe 409, 2017, Seite(n) 14-18, ISSN 0168-583X
Herausgeber:
Elsevier BV
DOI:
10.1016/j.nimb.2017.04.034
Autoren:
Serim Ilday, F. Ömer Ilday, René Hübner, Ty J. Prosa, Isabelle Martin, Gizem Nogay, Ismail Kabacelik, Zoltan Mics, Mischa Bonn, Dmitry Turchinovich, Hande Toffoli, Daniele Toffoli, David Friedrich, Bernd Schmidt, Karl-Heinz Heinig, Rasit Turan
Veröffentlicht in:
Nano Letters, Ausgabe 16/3, 2016, Seite(n) 1942-1948, ISSN 1530-6984
Herausgeber:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acs.nanolett.5b05158
Autoren:
K. Nordlund, F. Djurabekova, G. Hobler
Veröffentlicht in:
Physical Review B, Ausgabe 94/21, 2016, Seite(n) from 214109-1 to 214109-20, ISSN 1098-0121
Herausgeber:
American Physical Society
DOI:
10.1103/PhysRevB.94.214109
Autoren:
Xiaomo Xu, Karl-Heinz Heinig, Wolfhard Möller, Hans-Jürgen Engelmann, Nico Klingner, Ahmed Gharbi, Raluca Tiron, Johannes von Borany, Gregor Hlawacek
Veröffentlicht in:
Semiconductor Science and Technology, Ausgabe 35/1, 2020, Seite(n) 015021, ISSN 0268-1242
Herausgeber:
Institute of Physics Publishing
DOI:
10.1088/1361-6641/ab57ba
Autoren:
Amat, Esteve; Moral, Alberto del; Bausells, Joan; Perez-Murano, Francesc; Klüpfel, Fabian
Veröffentlicht in:
Proc. Conference on Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS), Ausgabe IEEE Xplore, April 2019, 2019
Herausgeber:
IEEE
DOI:
10.1109/dcis.2018.8681478
Autoren:
F. J. Klupfel, P. Pichler
Veröffentlicht in:
2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2017, Seite(n) 77-80, ISBN 978-4-86348-610-2
Herausgeber:
IEEE
DOI:
10.23919/SISPAD.2017.8085268
Autoren:
Gabriel Reynaud, Ahmed Gharbi, Patricia Pimenta-Barros, Olivia Saouaf, Laurent Pain, Raluca Tiron, Christophe Navarro, Célia Nicolet, Ian Cayrefourcq, Michele Perego, Francesc Pérez-Murano, Esteve Amat, Marta Fernández-Regúlez
Veröffentlicht in:
Advances in Patterning Materials and Processes XXXV, 2018, Seite(n) 25, ISBN 9781-510616653
Herausgeber:
SPIE
DOI:
10.1117/12.2297414
Autoren:
F. J. Klupfel, A. Burenkov, J. Lorenz
Veröffentlicht in:
2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2016, Seite(n) 237-240, ISBN 978-1-5090-0818-6
Herausgeber:
IEEE
DOI:
10.1109/SISPAD.2016.7605191
Autoren:
Christoffer Fridlund
Veröffentlicht in:
2016, Seite(n) 1 - 65
Herausgeber:
Faculty of Science, University of Helsinki
Suche nach OpenAIRE-Daten ...
Bei der Suche nach OpenAIRE-Daten ist ein Fehler aufgetreten
Es liegen keine Ergebnisse vor