Miglioramenti nella tecnica della nanolitografia
Alcuni anni fa l'ostacolo principale allo sviluppo delle nanostrutture era la mancanza di una tecnologia di produzione che offrisse una resa elevata e bassi costi di produzione. La nanolitografia (NIL, Nano Imprint Lithography) si è dimostrata una soluzione efficace. La fase iniziale di questa tecnica consiste nello stampaggio di una matrice su una superficie polimerica; l'impronta viene poi riscaldata in modo da rendere possibile la rimozione dei residui di polimero nell'area di compressione; infine viene eseguita la metallizzazione dell'impronta e la nanostruttura desiderata viene creata e distaccata. Il progetto CHANIL si è focalizzato su questa tecnologia e, in particolar modo, su come migliorare due fasi cruciali per il completamento della nanolitografia: la rimozione dello stampo e il distacco della struttura. Nel corso del progetto è stato sviluppato un metodo chimico a secco per il trattamento anti-incollamento degli stampi litografici eseguiti in nichel o silicio. L'interfaccia stampo-polimero così trattata presenta proprietà perfette anti-incollamento, grazie alle quali nessuna parte del polimero aderisce allo stampo, alterando la forma della struttura, anche dopo più operazioni di stampaggio. È stata inoltre introdotta una nuova tecnica di distacco. Basata sulla regolazione della temperatura e del tempo, in modo da ottimizzare il flusso dello strato residuo, la nuova tecnica di distacco si avvale di un solvente diluito per l'asportazione finale. Queste due innovazioni non solo rendono la nanolitografia più efficace ma, cosa forse ancora più importante, incoraggiano la produzione di nanostrutture sempre più piccole.
