Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-05-29

Porous Low-K Deposition and Characterization Research

Cel

As microelectronic device dimensions continue to shrink, system performance is becoming limited by the interconnect delay. A major component of this delay arises from intra-level capacitance. The dielectric must therefore have a low dielectric constant in order to minimize the capacitance between the lines and maximize performance at reduced dimensions. Silicon oxycarbides with dielectric constant of 2.7-3.0 are already being used in advanced production processes. In order to reduce the dielectric constant further, porosity has to be introduced into the film. Initial research, performed on spin-on dielectrics, already revealed many integration issues related to the porosity of these materials. In order to achieve production-worthy processes, chemical vapour deposition is the preferred way to fabricate these films.

In this project, plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) is used to develop processes for ultra-low K deposition. This research project makes use of the most advanced production-compatible equipment on 300mm Si wafers. Through selection of the optimum precursors and process conditions, suitable films will be developed. The project will investigate the impact of the plasma parameters on film properties, such as uniformity, composition, dielectric constant, pore size and pore distribution, elastic modulus and strength. The films will be integrated in IMEC's back-end of line processes to investigate etch behaviour, CMP compatibility and reliability properties. Specific plasma characterization of the deposition and clean recipes will be performed to optimise both.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

FP6-2004-MOBILITY-12
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszenia

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

IRG - Marie Curie actions-International re-integration grants

Koordynator

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW
Wkład UE
Brak danych
Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych
Moja broszura 0 0