Opis projektu
Nowatorska technologia układów scalonych 3D przedłuży obowiązywanie prawa Moore’a
Prawo Moore’a, według którego liczba tranzystorów, które można tanio umieścić w układzie scalonym podwaja się co 18 miesięcy, stanowiło motor napędowy rozwoju technologii tranzystorów przez ponad 50 lat. Niestety, nieustanna miniaturyzacja krzemowych układów scalonych stopniowo przybliża nas do fizycznych granic możliwości tego materiału. Nowatorskie architektury układów, takie jak integracja 3D oraz wertykalna integracja układów, mogą pozwolić nam na dalsze zwiększanie liczby tranzystorów. Uczestnicy finansowanego przez Unię Europejską projektu ORIGENAL zastosują radykalnie nowe podejście do kwestii ultra-gęstej trójwymiarowej integracji układów scalonych. U podstaw koncepcji budowy układów 3D opracowanej przez zespół projektu ORIGENAL leży technologia tranzystorów cienkowarstwowych zbudowanych na podłożu z cienkiej folii. Proponowana architektura pozwala na układanie na sobie tysięcy warstw, co pozwoli na dalszą miniaturyzację przez kolejne 30 lat.
Cel
Increasing the integrated circuits complexity by lateral scaling, known as Moore’s law, was the major driving force for the semiconductor industry. Now, after more than 4 decades down scaling is approaching fundamental and also economic limitations, and new solutions for further increasing the transistor count are explored. Utilizing the third dimension in chip architecture is one of the most promising directions. However, current solutions like wafer-to-wafer stacking will only deliver solutions for the short term with maximum some tens of layers on-top of each other’s.
In the ORIGENAL project we propose a radically new approach to address the challenge of ultra-dense 3D integration of CMOS devices by using a thin-film-transistor (TFT) technology on thin foil substrate and the subsequent topological folding in order to achieve a dense 3D packaging with completely new integration architectures. This radically new approach will enable the stacking of thousands of layers on top of each other’s, each containing state-of-the-art CMOS circuits and thus will provide enough fuel to further increase the transistor count on a chip according to Moore’s law for more than 30 years. In addition, new computing concepts like neuromorphic computing will significantly benefit from the highly interconnected architecture developed in this project.
The proposal focuses on the development of a suitable thin-film-transistor technology on ultrathin-foil, the 3D interconnect and architecture, and the required technology for high precision folding. Achieving the ambitious objectives requires an interdisciplinary approach including contributions from Material science, electrical engineering, mechanical engineering, biology, physics and chemistry.
The proposed forefront research will not only lay the foundations for a new line of technology, but also open up an opportunity to reinforce the technological leadership of European players.
Dziedzina nauki
- engineering and technologymechanical engineering
- natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringelectrical engineering
- engineering and technologyenvironmental engineeringenergy and fuels
- social scienceslaw
Słowa kluczowe
Program(-y)
Zaproszenie do składania wniosków
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszeniaSzczegółowe działanie
H2020-FETOPEN-2018-2019-2020-01
System finansowania
RIA - Research and Innovation actionKoordynator
42119 Wuppertal
Niemcy