Skip to main content
European Commission logo print header

Synergistic Resistive Switching of Perovskite and Silicon Carbide materials for Advanced ReRAM micro Devices

Publikacje

Integration of LaMnO 3+δ films on platinized silicon substrates for resistive switching applications by PI-MOCVD

Autorzy: Raquel Rodriguez-Lamas, Dolors Pla, Odette Chaix-Pluchery, Benjamin Meunier, Fabrice Wilhelm, Andrei Rogalev, Laetitia Rapenne, Xavier Mescot, Quentin Rafhay, Hervé Roussel, Michel Boudard, Carmen Jiménez, Mónica Burriel
Opublikowane w: Beilstein Journal of Nanotechnology, Numer 10, 2019, Strona(/y) 389-398, ISSN 2190-4286
Wydawca: Beilstein-Institut Zur Forderung der Chemischen Wissenschaften
DOI: 10.3762/bjnano.10.38

Microscopic Mechanisms of Local Interfacial Resistive Switching in LaMnO 3+δ

Autorzy: Benjamin Meunier, Dolors Pla, Raquel Rodriguez-Lamas, Michel Boudard, Odette Chaix-Pluchery, Eugénie Martinez, Nicolas Chevalier, Carmen Jiménez, Mónica Burriel, Olivier Renault
Opublikowane w: ACS Applied Electronic Materials, Numer 1/5, 2019, Strona(/y) 675-683, ISSN 2637-6113
Wydawca: ACS Publications
DOI: 10.1021/acsaelm.9b00030

Engineering of Functional Manganites Grown by MOCVD for Miniaturized Devices

Autorzy: Dolors Pla, Carmen Jimenez, Mónica Burriel
Opublikowane w: Advanced Materials Interfaces, Numer 4/8, 2017, Strona(/y) 1600974, ISSN 2196-7350
Wydawca: Wiley Online Library
DOI: 10.1002/admi.201600974

Resistive switching in a LaMnO 3 + δ /TiN memory cell investigated by operando hard X-ray photoelectron spectroscopy

Autorzy: Benjamin Meunier, Eugénie Martinez, Raquel Rodriguez-Lamas, Dolors Pla, Mònica Burriel, Michel Boudard, Carmen Jiménez, Jean-Pascal Rueff, Olivier Renault
Opublikowane w: Journal of Applied Physics, Numer 126/22, 2019, Strona(/y) 225302, ISSN 0021-8979
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5125420

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników