Opis projektu
Półprzewodniki o szerokim paśmie wzbronionym poza krzemem sprawdzą się w satelitach
Azotek galu (GaN) oraz węglik krzemu (SiC) to półprzewodniki o szerokim paśmie wzbronionym charakteryzujące się dużą wytrzymałością na przebicie dielektryczne. Z kolei hybrydowy materiał GaN-na-SiC ma kilka ważnych cech, które sprawiają, że naturalnie nadaje się do stosowania w rozwiązaniach energoelektronicznych. Na przykład: ma on znacznie wyższe przewodnictwo cieplne niż urządzenia zasilane GaN-na-Si, umożliwiając im pracę przy znacznie wyższym napięciu i większej gęstości mocy. Zespół finansowanego przez UE projektu SGAN-Next zamierza zabezpieczyć proces tworzenia materiału GaN-na-SiC w Europie. W ramach dowodzenia słuszności swej koncepcji badacze opracują solidne wzmacniacze w ciele stałym, wzmacniacze generujące niewielki hałas oraz urządzenia przełącznikowe do stosowania w satelitach latających na niskiej orbicie Ziemi oraz na orbicie geostacjonarnej. Częstotliwości operacyjne takich urządzeń będą przekraczać pasmo Q (zakres od 33 Ghz do 50 Ghz).
Cel
The main objective of SGAN-Next is to develop a fully European GaN on SiC foundry process and demonstrate outstanding performance at high frequency beyond Q-band, through the design of efficient and robust SSPA, LNA and switch devices for flexible LEO/GEO payloads. For this purpose, the project led by SENER as satellite equipment manufacturer, includes an epitaxy manufacturer (SweGaN), an industrial foundry (UMS), a research foundry (FBH) and two Universities (UNIBO and UAB). Moreover, the consortium count on the two main European satellite prime contractors (ADS and TAS) for the conceptual definition of services and the required system to answer market demand.
SGaN-Next aims to secure a European supply chain with GaN epitaxial wafers provided by SweGaN. For this new process, Q/V band power cells will be designed making use of novel processing modules and epitaxial concepts which reduce parasitic losses and increase thermal drain to heat sink. In parallel, UMS provides access to its 0.1-µm GaN technology (GH10-10), which will be optimized and submitted to a space qualification assessment through two runs available for MMICs design and validation. Microwave characterisation of GaN technology performance by model refinement and device characterisation will be addressed to improve MMIC design process along the project.
As highly efficient PAs are essential for Telecom active antennas with high number of active units, at least three PAs design concepts are proposed to answer the needs identified at equipment level. The efficiency has a critical impact on the extra power demanded to the system and the increased complexity to dissipate. On the reception side, a design of a LNA as well as a switch for robust RF front-end will be addressed. Last, but not least, packaging techniques will be evaluated for space use and finally, a demonstrator of an SSPA for actual antenna systems based on the designed MMIC’s will be developed and tested under space environmental conditions.
Dziedzina nauki
Program(-y)
Temat(-y)
Zaproszenie do składania wniosków
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszeniaSystem finansowania
HORIZON-RIA - HORIZON Research and Innovation ActionsKoordynator
28500 ARGANDA DEY REY
Hiszpania