Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Seven Nanometer Technology

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Attenuated phase shift mask for extreme ultraviolet: can they mitigate three-dimensional mask effects? (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: A. Erdmann, P. Evanschitzky, H. Mezilhy, V. Philipsen, E. Hendrickx, M. Bauer
Opublikowane w: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Numer 18/01, 2019, Strona(/y) 1, ISSN 1932-5150
Wydawca: S P I E - International Society for Optical Engineering
DOI: 10.1117/1.jmm.18.1.011005

Advanced EUV mask and imaging modeling (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Peter Evanschitzky, Andreas Erdmann
Opublikowane w: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Numer 16/04, 2017, Strona(/y) 1, ISSN 1932-5150
Wydawca: S P I E - International Society for Optical Engineering
DOI: 10.1117/1.jmm.16.4.041005

Characterization and mitigation of 3D mask effects in extreme ultraviolet lithography (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Andreas Erdmann, Dongbo Xu, Peter Evanschitzky, Vicky Philipsen, Vu Luong, Eric Hendrickx
Opublikowane w: Advanced Optical Technologies, Numer 6/3-4, 2017, ISSN 2192-8584
Wydawca: De Gruyter
DOI: 10.1515/aot-2017-0019

Correlated diffuse x-ray scattering from periodically nanostructured surfaces (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: V. Soltwisch, A. Haase, J. Wernecke, J. Probst, M. Schoengen, S. Burger, M. Krumrey, F. Scholze
Opublikowane w: Physical Review B, Numer 94/3, 2016, ISSN 2469-9950
Wydawca: The American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.94.035419

High Mobility Materials on Insulator for Advanced Technology Nodes (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: W. Schwarzenbach, C. Figuet, D. Delprat, C. Veytizou, I. Huyet, C. Tempesta, L. Ecarnot, J. Widiez, V. Loup, J.-M. Hartmann, P. Besson, C. Deguet, F. Mazen, B.-Y. Nguyen, C. Maleville
Opublikowane w: ECS Transactions, Numer 66/4, 2015, Strona(/y) 31-37, ISSN 1938-5862
Wydawca: Electrochemical Society, Inc.
DOI: 10.1149/06604.0031ecst

Characterizing electron beam induced damage in metrology and inspection of advance devices (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Violeta Navarro, Hamed Sadeghian, Abbas Mohtashami, Ilan Englard, Dror Shemesh, Nitin Singh Malik
Opublikowane w: 33rd European Mask and Lithography Conference, 2017, Strona(/y) 17, ISBN 9781-510613577
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2279707

Enabling sub-10nm node lithography: presenting the NXE:3400B EUV scanner (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Mark van de Kerkhof, Hans Jasper, Leon Levasier, Rudy Peeters, Roderik van Es, Jan-Willem Bosker, Alexander Zdravkov, Egbert Lenderink, Fabrizio Evangelista, Par Broman, Bartosz Bilski, Thorsten Last
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII, 2017, Strona(/y) 101430D
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2258025

Diffuser concepts for in-situ wavefront measurements of EUV projection optics (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Mark A. van de Kerkhof, Uwe Zeitner, Torsten Feigl, Stefan Bäumer, Robbert Jan Voogd, Ad Schasfoort, Evert Westerhuis, Wouter Engelen, Manfred Dikkers, Yassin Chowdhury, Michael D. Kriese
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IX, 2018, Strona(/y) 24, ISBN 9781-510616592
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2297433

EUV lithography industrialization progress (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Roderik van Es, Mark van de Kerkhof, Leon Levasier, Rudy Peeters, Hans Jasper
Opublikowane w: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2017, 2017, Strona(/y) 2, ISBN 9781-510613751
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2281184

EUV for HVM: towards and industrialized scanner for HVM NXE3400B performance update (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Mark A. van de Kerkhof, Arthur W. E. Minnaert, Marco Pieters, Hans Meiling, Joost Smits, Rudy Peeters, Roderik van Es, Geert Fisser, Jos W. de Klerk, Roel Moors, Eric Verhoeven, Leon Levasier
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IX, 2018, Strona(/y) 13, ISBN 9781-510616592
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2299503

EUV lithography performance for manufacturing: status and outlook (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Alberto Pirati, Rudy Peeters, Daniel Smith, Sjoerd Lok, Martijn van Noordenburg, Roderik van Es, Eric Verhoeven, Henk Meijer, Arthur Minnaert, Jan-Willem van der Horst, Hans Meiling, Joerg Mallmann, Christian Wagner, Judon Stoeldraijer, Geert Fisser, Jo Finders, Carmen Zoldesi, Uwe Stamm, Herman Boom, David Brandt, Daniel Brown, Igor Fomenkov, Michael Purvis
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VII, 2016, Strona(/y) 97760A
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2220423

NXE pellicle: offering a EUV pellicle solution to the industry (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Derk Brouns, Aage Bendiksen, Par Broman, Eric Casimiri, Paul Colsters, Peter Delmastro, Dennis de Graaf, Paul Janssen, Mark van de Kerkhof, Ronald Kramer, Matthias Kruizinga, Henk Kuntzel, Frits van der Meulen, David Ockwell, Maria Peter, Daniel Smith, Beatrijs Verbrugge, David van de Weg, Jim Wiley, Noelie Wojewoda, Carmen Zoldesi, Pieter van Zwol
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VII, 2016, Strona(/y) 97761Y
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2221909

The future of EUV lithography: enabling Moore's Law in the next decade (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Alberto Pirati, Jan van Schoot, Kars Troost, Rob van Ballegoij, Peter Krabbendam, Judon Stoeldraijer, Erik Loopstra, Jos Benschop, Jo Finders, Hans Meiling, Eelco van Setten, Niclas Mika, Jeannot Dredonx, Uwe Stamm, Bernhard Kneer, Bernd Thuering, Winfried Kaiser, Tilmann Heil, Sascha Migura
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII, 2017, Strona(/y) 101430G
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2261079

The future of EUV lithography: continuing Moore's Law into the next decade (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jan van Schoot, Kars Troost, Frank Bornebroek, Rob van Ballegoij, Sjoerd Lok, Peter Krabbendam, Judon Stoeldraijer, Jos Benschop, Jo Finders, Hans Meiling, Eelco van Setten, Bernhard Kneer, Peter Kuerz, Winfried Kaiser, Tilmann Heil, Sascha Migura
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IX, 2018, Strona(/y) 23, ISBN 9781-510616592
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2295800

Contrast optimization for 0.33NA EUV lithography (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jo Finders, Sander Wuister, Thorsten Last, Gijsbert Rispens, Eleni Psari, Jan Lubkoll, Eelco van Setten, Friso Wittebrood
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VII, 2016, Strona(/y) 97761P
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2220036

EUV High-NA scanner and mask optimization for sub 8 nm resolution (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jan van Schoot, Koen van Ingen Schenau, Gerardo Bottiglieri, Kars Troost, John Zimmerman, Sascha Migura, Bernhard Kneer, Jens Timo Neumann, Winfried Kaiser
Opublikowane w: Photomask Technology 2015, 2015, Strona(/y) 963503
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2202258

First light at EBL2 (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Norbert Koster, Edwin te Sligte, Freek Molkenboer, Alex Deutz, Peter van der Walle, Pim Muilwijk, Wouter Mulckhuyse, Bastiaan Oostdijck, Christiaan Hollemans, Björn Nijland, Peter Kerkhof, Michel van Putten, Jeroen Westerhout
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII, 2017, Strona(/y) 101431N
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2257997

EUV mask lifetime testing using EBL2 (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Chien-Ching Wu, Maurice P.M. A. Limpens, Jacqueline van Veldhoven, Herman Bekman, Alex Deutz, Edwin te Sligte, Arnold J. Storm, Michel van Putten
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IX, 2018, Strona(/y) 33, ISBN 9781-510616592
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2297369

Ultra Clean sample transportation in an EUV exposure system

Autorzy: F.T. Molkenboer, N.B. Koster, A.F. Deutz, B.A.H. Nijland, P.J. Kerkhof, P.M. Muilwijk, B.W. Oostdijck, J. Westerhout, C.L. Hollemans, W.F.W. Mulckhuyse, M. van Putten, P. van der Walle, A.M. Hoogstrate, J.R.H. Diesveld, A. Abutan
Opublikowane w: AVS Proceedings, Numer 64, 2017, Strona(/y) VT-WeM3
Wydawca: AVS

EBL2: realization and qualification of an EUV exposure system

Autorzy: Michel van Putten, N.B. Koster, A.F. Deutz, B.A.H. Nijland, P.J. Kerkhof, P.M. Muilwijk, B.W. Oostdijck, J. Westerhout, C.L. Hollemans, E. te Sligte, W.F.W. Mulckhuyse, F.T. Molkenboer, A.M. Hoogstrate, P. van der Walle, J.R.H. Diesveld, A. Abutan
Opublikowane w: AVS Proceedings, Numer 64, 2017, Strona(/y) VT-TuM11
Wydawca: AVS

Characterization of EBL2 EUV exposure facility (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Edwin te Sligte, Michel van Putten, Freek T. Molkenboer, Peter van der Walle, Pim M. Muilwijk, Norbert B. Koster, Jeroen Westerhout, Peter J. Kerkhof, Bastiaan W. Oostdijck, Alex F. Deutz, Wouter Mulckhuyse
Opublikowane w: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2017, 2017, Strona(/y) 78, ISBN 9781-510613751
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2280356

First light and results on EBL2 (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Norbert Koster, Edwin te Sligte, Alex Deutz, Freek Molkenboer, Pim Muilwijk, Peter van der Walle, Wouter Mulckhuyse, Bjorn Nijland, Peter Kerkhof, Michel van Putten
Opublikowane w: Photomask Japan 2017: XXIV Symposium on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology, 2017, Strona(/y) 104540O
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2279025

Latest developments on EUV reticle and pellicle research and technology at TNO (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Rogier Verberk, Norbert Koster, Wilbert Staring, Edwin te Sligte
Opublikowane w: 33rd European Mask and Lithography Conference, 2017, Strona(/y) 10, ISBN 9781-510613577
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2279672

Optimized phase-shifting masks for high-resolution resist patterning by interference lithography (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Sascha Brose, Serhiy Danylyuk, Lukas Bahrenberg, Peter Loosen, Larissa Juschkin, Rainer Lebert
Opublikowane w: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2017, 2017, Strona(/y) 81, ISBN 9781-510613751
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2280582

Analysis of distinct scattering of extreme ultraviolet phase and amplitude multilayer defects with an actinic dark-field microscope (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Lukas Bahrenberg, Stefan Herbert, Jenny Tempeler, Aleksey Maryasov, Oskar Hofmann, Serhiy Danylyuk, Rainer Lebert, Peter Loosen, Larissa Juschkin
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VI, 2015, Strona(/y) 942229
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2085929

Vertically stacked gate-all-around Si nanowire transistors: key process optimizations and ring oscillator demonstration

Autorzy: Mertens, H.; Ritzenthaler, R.; Pena, V.; Santoro, G.; Kenis, K.; Schulze, A.; Dentoni Litta, E.; Chew, S.; Devriendt, K.; Chiarella, T.; Demuynck, S.; Yakimets, D.; Jang, D.; Spessot, A.; Eneman, G.; Dangol, A.; Lagrain, P.; Bender, H.; Sun, S.; Korolik, M.; Kioussis, D.; Kim, M.; Bu, K.; Chen, S.; Cogorno, M.; Devrajan, J.; Machillot, J.; Yoshida, N.; Kim, N.; Barla, K.; Mocuta, D. and Horiguchi,
Opublikowane w: 2017
Wydawca: IEEE International Electron Devices Meeting - IEDM

Attenuated PSM for EUV: Can they mitigate 3D mask effects? (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Andreas Erdmann, Peter Evanschitzky, Vicky Philipsen, Markus Bauer, Eric Hendrickx, Hazem Mesilhy
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IX, 2018, Strona(/y) 35, ISBN 9781-510616592
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2299648

Efficient simulation of EUV pellicles (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Peter Evanschitzky, A. Erdmann
Opublikowane w: International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2017, 2017, Strona(/y) 11, ISBN 9781-510613751
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2280535

Polarization resolved measurements with the new EUV ellipsometer of PTB (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Victor Soltwisch, Andreas Fischer, Christian Laubis, Christian Stadelhoff, Frank Scholze, Albrecht Ullrich
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VI, 2015, Strona(/y) 942213
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2085798

Characterization of optical material parameters for EUV Lithography applications at PTB (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Christian Laubis, Anton Haase, Victor Soltwisch, Frank Scholze
Opublikowane w: 31st European Mask and Lithography Conference, 2015, Strona(/y) 96610W
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2195009

Innovative scatterometry approach for self-aligned quadruple patterning (SAQP) process control

Autorzy: Anil Gunay Demirkol, Efrain Altamirano-Sánchez, IMEC (Belgium); Stephane Heraud, Nova Measuring Instruments GmbH (Germany); Stephane Godny, Anne-Laure Charley, Philippe Leray, IMEC (Belgium); Ronen Urenski, Oded Cohen, Igor Turovets, Shay Wolfling, Nova Measuring Instruments Ltd. (Israel)
Opublikowane w: SPIE Advanced Lithography 2016, Numer 2016, 2016, Strona(/y) 60,61
Wydawca: SPIE

Realization of an in-situ Mueller-matrix imaging ellipsometer for the real time observation of surface properties in an ultra-high vacuum EUV facility

Autorzy: P. Muilwijk
Opublikowane w: AVS Proceedings, Numer 63, 2016, Strona(/y) "Paper #4224"
Wydawca: AVS

EBL2, a flexible, controlled EUV exposure and surface analysis facility (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Edwin te Sligte, Norbert Koster, Freek Molkenboer, Alex Deutz
Opublikowane w: Photomask Japan 2016: XXIII Symposium on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology, 2016, Strona(/y) 99840R
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2240302

EBL2: high power EUV exposure facility (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Edwin te Sligte, Norbert Koster, Freek Molkenboer, Peter van der Walle, Pim Muilwijk, Wouter Mulckhuyse, Bastiaan Oostdijck, Christiaan Hollemans, Björn Nijland, Peter Kerkhof, Michel van Putten, André Hoogstrate, Alex Deutz
Opublikowane w: Photomask Technology 2016, 2016, Strona(/y) 998520
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2240921

Realisation of a vacuum system of an EUV exposure system Presentation

Autorzy: F. Molkenboer
Opublikowane w: AVS Proceedings, Numer 63, 2016, Strona(/y) "Paper #3725"
Wydawca: AVS

A million wafer, virtual fabrication approach to determine process capability requirements for an industry-standard 5nm BEOL two-level metal flow (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: W. F. Clark, A. Juncker, E. Paladugu, D. Fried, C. J. Wilson, G. Pourtois, M. Gallagher, A. De Jamblinne, D. Piumi, J. Boemmels, Z. S. Tokei, D. Mocuta
Opublikowane w: 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2016, Strona(/y) 43-46, ISBN 978-1-5090-0818-6
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/SISPAD.2016.7605144

Modeling of Tone Inversion Process Flow for N5 Interconnect to Characterize Block Tip to Tip

Autorzy: S. Guissi, W. F. Clark, A. Junker, J. Ervin, K. Greiner, D. Fried, B. Briggs, K. Devriendt, F. Sebaai, A. Charley, C. J. Wilson, J. Boemmels, Z. Tőkei
Opublikowane w: INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE, Numer 2017, 2017
Wydawca: IEEE

Introducing the EUV CNT pellicle (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jae Uk Lee, Johannes Vanpaemel, Ivan Pollentier, Christoph Adelmann, Houman Zahedmanesh, Cedric Huyghebaert, Marina Timmermans, Michael De Volder, Emily Gallagher
Opublikowane w: Photomask Technology 2016, Numer 99850C (25 October 2016), 2016, Strona(/y) 99850C
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2243019

Novel membrane solutions for the EUV pellicle: better or not? (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Ivan Pollentier, Jae Uk Lee, Marina Timmermans, Christoph Adelmann, Houman Zahedmanesh, Cedric Huyghebaert, Emily E. Gallagher
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII, Numer 01430L (24 March 2017), 2017, Strona(/y) 101430L
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2257891

Reducing EUV mask 3D effects by alternative metal absorbers (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Vicky Philipsen, Kim Vu Luong, Laurent Souriau, Eric Hendrickx, Andreas Erdmann, Dongbo Xu, Peter Evanschitzky, Robbert W. E. van de Kruijs, Arash Edrisi, Frank Scholze, Christian Laubis, Mathias Irmscher, Sandra Naasz, Christian Reuter
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VIII, 2017, Strona(/y) 1014310
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2257929

Mitigating EUV mask 3D effects by alternative metal absorbers

Autorzy: Philipsen, V.; Luong, V.; Hendrickx, E.; Erdmann, A.; Dongbo, X.; Evanschitzky, P.; van de Kruijs, R.; Edrisi, A.; Scholze, F.; Laubis, C.; Irmscher, M. and Naasz, S.
Opublikowane w: 2016
Wydawca: International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography

Optimized EUV mask absorber stack for improved imaging by reducing roughness and crystallinity of alternative absorber materials

Autorzy: Luong, V.; Philipsen, V.; Hendrickx, E.; Scholze, F.; van de Kruijs, R.; Edrisi, A.; Wood, O. and Heyns, M.
Opublikowane w: 2016
Wydawca: International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography

RMG nMOS 1<sup>st</sup> process enabling 10x lower gate resistivity in N7 bulk FinFETs (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: L.-A. Ragnarsson, H. Dekkers, T. Schram, S. A. Chew, B. Parvais, M. Dehan, K. Devriendt, Z. Tao, F. Sebaai, C. Baerts, S. Van Elshocht, N. Yoshida, A. Phatak, C. Lazik, A. Brand, W. Clark, D. Fried, D. Mocuta, K. Barla, N. Horiguchi, A. V.-Y. Thean
Opublikowane w: 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015, Strona(/y) T148-T149, ISBN 978-4-86348-501-3
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/VLSIT.2015.7223656

Layout optimization and trade-off between 193i and EUV-based patterning for SRAM cells to improve performance and process variability at 7nm technology node (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Sushil Sakhare, Darko Trivkovic, Tom Mountsier, Min-Soo Kim, Dan Mocuta, Julien Ryckaert, Abdelkarim Mercha, Diederik Verkest, Aaron Thean, Mircea Dusa
Opublikowane w: Design-Process-Technology Co-optimization for Manufacturability IX, 2015, Strona(/y) 94270O
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2086100

Self-aligned-quadruple-patterning for N7/N5 silicon fins

Autorzy: Efrain Altamirano-Sánchez, Tao S. Zheng, Anil Gunay Demirkol, Gian F. Lorusso, Toby Hopf, Jean-Christophe Everat IMEC (Belgium), William Clark, Coventor (France); Daniel Sobieski, Fung-Suong Ou, Lam Research Corp. (United States); David Hellin, Lam Research (Belgium)
Opublikowane w: SPIE Advanced Lithigraphy 2016, 2016
Wydawca: SPIE

Predicting LER and LWR in SAQP with 3D virtual fabrication (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jiangjiang (Jimmy) Gu, Dalong Zhao, Vasanth Allampalli, Daniel Faken, Ken Greiner, David M. Fried
Opublikowane w: Advanced Etch Technology for Nanopatterning V, 2016, Strona(/y) 97820N
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2218929

EBL2: EUV exposure and surface analysis system

Autorzy: E. te Sligte
Opublikowane w: EUVL Symposium, Numer 2015, 2015
Wydawca: EUVL Symposium

Sub 20nm particle inspection on EUV mask blanks

Autorzy: P. Bussink
Opublikowane w: SPIE Advanced Lithography Proceedings, Numer 2016, 2016, Strona(/y) 9778-115
Wydawca: SPIE

Parallel, high throughput atomic force metrology for EUV masks and wafers

Autorzy: H. Sadeghian
Opublikowane w: SPIE Advanced Lithography Proceedings, Numer 2016, 2016
Wydawca: SPIE

EBL2, a flexible and controlled EUV exposure and surface analysis system

Autorzy: E. te Sligte
Opublikowane w: PTB Workshop, Numer 2015, 2015
Wydawca: PTB Workshop

Vacuum Architecture of an EUV exposure system

Autorzy: F. Molkenboer
Opublikowane w: AVS Proceedings, Numer 62, 2015, Strona(/y) Paper VT-WeM11
Wydawca: AVS-62

EUV lithography imaging using novel pellicle membranes (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Ivan Pollentier, Johannes Vanpaemel, Jae Uk Lee, Christoph Adelmann, Houman Zahedmanesh, Cedric Huyghebaert, Emily E. Gallagher
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VII, 2016, Strona(/y) 977620
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2220031

Properties and performance of EUVL pellicle membranes (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Emily E. Gallagher, Johannes Vanpaemel, Ivan Pollentier, Houman Zahedmanesh, Christoph Adelmann, Cedric Huyghebaert, Rik Jonckheere, Jae Uk Lee
Opublikowane w: Photomask Technology 2015, 2015, Strona(/y) 96350X
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2199076

Update on EUV radiometry at PTB (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Christian Laubis, Annett Barboutis, Christian Buchholz, Andreas Fischer, Anton Haase, Florian Knorr, Heiko Mentzel, Jana Puls, Anja Schönstedt, Michael Sintschuk, Victor Soltwisch, Christian Stadelhoff, Frank Scholze
Opublikowane w: Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VII, 2016, Strona(/y) 977627
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2218902

Characterization of Mo/Si mirror interface roughness for different Mo layer thickness using resonant diffuse EUV scattering (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Anton Haase, Victor Soltwisch, Frank Scholze, Stefan Braun
Opublikowane w: Optical Systems Design 2015: Optical Fabrication, Testing, and Metrology V, 2015, Strona(/y) 962804
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2191265

Realisation of a vacuum system for EUV beam line EBL2

Autorzy: Freek Molkenboer, Norbert Koster, Alfred Abutan, Alex Deutz, Hans Diesveld, Christiaan Hollemans, Andre Hoogstrate, Peter Kerkhof, Pim Muilwijk, Wouter Mulckhuyse, Bjorn Nijland, Bastiaan Oostdijck, Michel van Putten, Edwin te Sligte, Peter van der Walle, Jeroen Westerhout
Opublikowane w: NEVAC Blad, Numer 55 (3), 2017, Strona(/y) p 18-23, ISSN 0169-9431
Wydawca: NEVAC

Prawa własności intelektualnej

"""AIMER"" word mark"

Numer wniosku/publikacji: DE 30 2017 113 021.3
Data: 2017-12-18
Wnioskodawca/wnioskodawcy: RI RESEARCH INSTRUMENTS GMBH

Alternative membrane manufacturing processes

Numer wniosku/publikacji: WO 2017102383
Data: 2016-12-02
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

Semiconductor device fabrication using etch stop layer

Numer wniosku/publikacji: US 20170213732 A1
Data: 2017-07-27
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASM BELGIUM NV

Alternative pellicle manufacturing process using waferbonding

Numer wniosku/publikacji: WO 2017076686
Data: 2016-10-25
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

Method and apparatus for filling a gap

Numer wniosku/publikacji: US 15222738
Data: 2016-07-28
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASM BELGIUM NV

SiO2 mitigation

Numer wniosku/publikacji: WO 2016055330 A1
Data: 2015-09-30
Wnioskodawca/wnioskodawcy: CARL ZEISS SMT GMBH

Solutions for direct cooling of mirror in projection optics box to reduce optical surface deformations

Numer wniosku/publikacji: WO 2017153152 A1
Data: 2017-02-17
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

Process for densifying nitride film

Numer wniosku/publikacji: US 20160079058 A1
Data: 2016-03-17
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASM BELGIUM NV

Removeable pellicle mount with reduced footprint

Numer wniosku/publikacji: WO 2017102378 A1
Data: 2016-12-02
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

A method to measure plasma image position in lithography machine

Numer wniosku/publikacji: WO 2017125254 A1
Data: 2017-01-02
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

Oxygen conducting oxide and oxidation barrier pellicle architecture

Numer wniosku/publikacji: WO 2017186486 A1
Data: 2017-04-12
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

Engineering strategies for early pellicle failure warning and detection before failure occurs

Numer wniosku/publikacji: WO 2017102380 A1
Data: 2016-12-02
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

Method and apparatus for filling a gap

Numer wniosku/publikacji: US 20180033606 A1
Data: 2018-02-01
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASM BELGIUM NV

Si/B membranes for emissive pellicles

Numer wniosku/publikacji: WO 2017102379 A1
Data: 2016-12-02
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

SiO2 mitigation

Numer wniosku/publikacji: WO 2016055330 A1
Data: 2015-09-30
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASML NETHERLANDS B.V.

Process for forming silicon-filled openings with a reduced occurrence of voids

Numer wniosku/publikacji: US 20160141176 A1
Data: 2016-05-19
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASM BELGIUM NV

Process for forming silicon-filled openings with a reduced occurrence of voids

Numer wniosku/publikacji: US 20160141176 A1
Data: 2016-05-19
Wnioskodawca/wnioskodawcy: ASM EUROPE BV

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników

Moja broszura 0 0