Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
CORDIScovery podcast 50th episode CORDIScovery podcast 50th episode

Modeling Unconventional Nanoscaled Device FABrication

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Documents, reports (7)
Report on model evaluation (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

The report describes the results of the model evaluation

Report on the toolchains for the test applications (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
Specification report for LA calibration: literature review, missing data, experimental plan (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

The document contans a specification report for LA calibration, i.e. a literature review, missing data, and an experimental plan

User's feedback to the developed models and TCAD toolchain (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Report describing the enduser experience with the models and TCAD toolchain developed

Report describing the device architectures and processing of the test applications (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

The report describes the device architectures and processing of the test applications

Review of experimental and model state-of-the-art (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

The deliverable presents a review of experimental and model state-of-the-art for epitaxial deposition

Report on the integration of external KMC/LKMC tools into the TCAD toolchain (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

The report describes the integration of external KMCLKMC tools into the TCAD toolchain

Other (1)
Symposium at the E-MRS Spring Meeting (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

A symposium will be organized at the EMRS Spring Meeting

Websites, patent fillings, videos etc. (1)
Set-up of the MUNDFAB web site (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

The MUNDFAB web site is online, an accompanying report describes the MUNDFAB web site

Publikacje

Peer reviewed articles (28)
Impact of hydrogen coverage on silane adsorption during Si epitaxy from ab initio simulations (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: L. Treps, J. Li, B. Sklénard
Opublikowane w: Solid-State Electronics, Numer 197, 2022, Strona(/y) 108441, ISSN 0038-1101
Wydawca: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2022.108441

A comprehensive atomistic picture of the as-deposited Ni-Si interface before thermal silicidation process (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: C. Jara Donoso, A. Jay, J. Lam, J. Muller, G. Larrieu, G. Landa, C. Bongiorno, A. La Magna, A. Alberti, A. Hemeryck
Opublikowane w: Appl. Surf. Sci., Numer 631, 2023, Strona(/y) 157563, ISSN 0169-4332
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.157563

Multiscale atomistic modelling of CVD: From gas-phase reactions to lattice defects (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: D. Raciti, G. Calogero, D. Ricciarelli, R. Anzalone, G. Morale, D. Murabito, I. Deretzis, G. Fisicaro, A. La Magna
Opublikowane w: Mater. Sci. Semicond. Proc., Numer 167, 2023, Strona(/y) 107792, ISSN 1369-8001
Wydawca: Pergamon Press
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107792

Efficient Modeling of Charge Trapping at Cryogenic Temperatures-Part I: Theory (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: J. Michl, A. Grill, D. Waldhoer, W. Goes, B. Kaczer, D. Linten, B. Parvais, B. Govoreanu, I. Radu, M. Waltl
Opublikowane w: IEEE Trans. Electron Devices, Numer 68(12), 2021, Strona(/y) 6365-6371, ISSN 1557-9646
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ted.2021.3116931

Engineering of dense arrays of vertical Si1-xGex nanostructures (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: J. Müller, A. Lecestre, R. Demoulin, F. Cristiano, J.-M. Hartmann, G. Larrieu
Opublikowane w: Nanotechnology, Numer 34, 2023, Strona(/y) 105303, ISSN 1361-6528
Wydawca: IOP Publ.
DOI: 10.1088/1361-6528/aca419

Plasmon resonances in silicon nanowires: geometry effects on the trade-off between dielectric and metallic behaviour (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Giovanni Borgh; Corrado Bongiorno; Antonino La Magna; Giovanni Mannino; Alireza Shabani; Salvatore Patanè; Jost Adam; Rosaria A. Puglisi
Opublikowane w: Optical Materials Express, Numer 13(3), 2023, Strona(/y) 598-609, ISSN 2159-3930
Wydawca: Optical Society of America
DOI: 10.1364/ome.475988

Oxygen vacancy and hydrogen in amorphous HfO<sub>2</sub> (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Benoît Sklénard; Lukas Cvitkovich; Dominic Waldhoer; Jing Li
Opublikowane w: J. Phys. D, Numer 56, 2023, Strona(/y) 245301, ISSN 1361-6463
Wydawca: Institute of Physics Publishing (IOP)
DOI: 10.1088/1361-6463/acc878

Dynamic modeling of Si(100) thermal oxidation: Oxidation mechanisms and realistic amorphous interface generation (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: L. Cvitkovich, D. Waldhör, A.-M. El-Sayed, M. Jech, C. Wilhelmer, T. Grasser
Opublikowane w: Appl. Surf. Sci., Numer 610, 2023, Strona(/y) 155378, ISSN 0169-4332
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.155378

Iterative Rotations and Assignments (IRA): A shape matching algorithm for atomic structures (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: M. Gunde, N. Salles, A. Hémeryck, L. Martin-Samos
Opublikowane w: Software Impacts, Numer 12, 2022, Strona(/y) 100264, ISSN 2665-9638
Wydawca: Elsevier
DOI: 10.1016/j.simpa.2022.100264

Machine learning interatomic potential for silicon-nitride (Si3N4) by active learning (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Diego Milardovich; Christoph Wilhelmer; Dominic Waldhoer; Lukas Cvitkovich; Ganesh Sivaraman; Tibor Grasser
Opublikowane w: J. Chem. Phys., Numer 158, 2023, Strona(/y) 194802, ISSN 0021-9606
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0146753

Atomistic Insights into Ultrafast SiGe Nanoprocessing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: G. Calogero, D. Raciti, D. Ricciarelli, P. Acosta-Alba, F. Cristiano, R. Daubriac, R. Demoulin, I. Deretzis, G. Fisicaro, J.-M. Hartmann, S. Kerdilès, A. La Magna
Opublikowane w: J. Phys. Chem. C, 2023, ISSN 1932-7455
Wydawca: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c05999

Multiscale modeling of ultrafast melting phenomena (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Gaetano Calogero; Domenica Raciti; Pablo Acosta-Alba; Fuccio Cristiano; Ioannis Deretzis; Giuseppe Fisicaro; Karim Huet; Sébastien Kerdilès; Alberto Sciuto; Antonino La Magna
Opublikowane w: npj Computational Materials, Numer 8, 2022, Strona(/y) 36, ISSN 2057-3960
Wydawca: Nature Publ. Group
DOI: 10.1038/s41524-022-00720-y

Building robust machine learning force fields by composite Gaussian approximation potentials (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: D. Milardovich, D. Waldhoer, M. Jech, A.M. El-Sayed, T. Grasser
Opublikowane w: Solid-State Electron., Numer 200, 2023, Strona(/y) 108529, ISSN 0038-1101
Wydawca: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2022.108529

Efficient Modeling of Charge Trapping at Cryogenic Temperatures-Part II: Experimental (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: J. Michl, A. Grill, D. Waldhoer, W. Goes, B. Kaczer, D. Linten, B. Parvais, B. Govoreanu, I. Radu, T. Grasser, M. Waltl
Opublikowane w: IEEE Trans. Electron Devices, Numer 68(12), 2021, Strona(/y) 6372-6378, ISSN 1557-9646
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ted.2021.3117740

Impact of surface reflectivity on the ultra-fast laser melting of silicon-germanium alloys (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Ricciarelli, Damiano; Mannino, Giovanni; Deretzis, Ioannis; Calogero, Gaetano; Fisicaro, Giuseppe; Daubriac, Richard; Demoulin, Remi; Cristiano, Fuccio; Michalowski, Pawel P.; Acosta-Alba, Pablo; Hartmann, Jean-Michel; Kerdilès, Sébastien; La Magna, Antonino
Opublikowane w: Mater. Sci. Semicond. Proc., Numer 165, 2023, Strona(/y) 107635, ISSN 1369-8001
Wydawca: Pergamon Press
DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107635

Performance of Vertical Gate-all-around Nanowire p-MOS Transistors Determined by Boron Depletion During Oxidation (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: C. Rossi, A. Burenkov, P. Pichler, E. Bär, J. Müller, G. Larrieu
Opublikowane w: Solid-State Electron., Numer 200, 2023, Strona(/y) 108551, ISSN 0038-1101
Wydawca: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2022.108551

Phononic transport and simulations of annealing processes in nanometric complex structures (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Alberto Sciuto, Ioannis Deretzis, Giuseppe Fisicaro, Salvatore Francesco Lombardo, Maria Grazia Grimaldi, Karim Huet, Benoit Curvers, Bobby Lespinasse, Armand Verstraete, Antonino La Magna
Opublikowane w: Physical Review Materials, Numer 4/5, 2020, Strona(/y) 056007, ISSN 2475-9953
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.4.056007

Investigation of recrystallization and stress relaxation in nanosecond laser annealed Si1−xGex/Si epilayers (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: L. Dagault, S. Kerdilès, P. Acosta Alba, J.-M. Hartmann, J.-P. Barnes, P. Gergaud, E. Scheid, F. Cristiano
Opublikowane w: Applied Surface Science, Numer 527, 2020, Strona(/y) 146752, ISSN 0169-4332
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.146752

Structure, electronic properties, and energetics of oxygen vacancies in varying concentrations of SixGe1−xO2 (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: A.-M. El-Sayed, M. Jech, D. Waldhör, A. Makarov, M. I. Vexler, S. Tyaginov
Opublikowane w: Phys. Rev. Materials, Numer 6, 2022, Strona(/y) 125002, ISSN 2475-9953
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevmaterials.6.125002

Investigation of oxygen penetration during UV nanosecond laser annealing of silicon at high energy densities (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: R. Monflier, T. Tabata, H. Rizk, J. Roul, K. Huet, F. Mazzamuto, P. Acosta Alba, S. Kerdilès, S. Boninelli, A. La Magna, E. Scheid, F. Cristiano, E. Bedel-Pereira
Opublikowane w: Applied Surface Science, Numer 546, 2021, Strona(/y) 149071, ISSN 0169-4332
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149071

Ab initio investigations in amorphous silicon dioxide: Proposing a multi-state defect model for electron and hole capture (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: C. Wilhelmer, D. Waldhoer, M. Jech, A.M. El-Sayed, L. Cvitkovich, M. Waltl, T. Grasser
Opublikowane w: Microelectron. Reliab., Numer 139, 2022, Strona(/y) 114801, ISSN 0026-2714
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2022.114801

Multiscale Simulations for Defect-Controlled Processing of Group IV Materials (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: G. Calogero, I. Deretzis, G. Fisicaro, M. Kollmuß, F. La Via, S. F. Lombardo, M. Schöler, P.J. Wellmann, A. La Magna
Opublikowane w: Crystals, Numer 12, 2022, Strona(/y) 1701, ISSN 2073-4352
Wydawca: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/cryst12121701

Molecule Clustering Dynamics in the Molecular Doping Process of Si(111) with Diethyl-propyl-phosphonate (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: M. Pizzone, M. G. Grimaldi, A. La Magna, S. Scalese, J. Adam, R. A. Puglisi
Opublikowane w: Int. J. Mol. Sci., Numer 24(8), 2023, Strona(/y) 6877, ISSN 1422-0067
Wydawca: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/ijms24086877

Secondary ion mass spectrometry quantification of boron distribution in an array of silicon nanowires (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Paweł Piotr Michałowski; Jonas Müller; Chiara Rossi; Alexander Burenkov; Eberhard Bär; Guilhem Larrieu; Peter Pichler
Opublikowane w: Measurement, Numer 211, 2023, Strona(/y) 112630, ISSN 0263-2241
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.measurement.2023.112630

On Continuum Simulations of the Evolution of Faulted and Perfect Dislocation Loops in Silicon during Post-Implantation Annealing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Anna Johnsson
Opublikowane w: MRS Advances, Numer 7, 2022, Strona(/y) 1315-1320, ISSN 2059-8521
Wydawca: Springer Nature Switzerland AG
DOI: 10.1557/s43580-022-00424-x

Prediction of the evolution of defects induced by the heated implantation process: Contribution of kinetic Monte Carlo in a multi-scale modeling framework (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Julliard, P.L.; Johnsson, A.; Zographos, N.; Demoulin, R.; Monflier, Richard; Jay, A.; Er-Riyahi, O.; Monsieur, F.; Joblot, S.; Deprat, F.; Rideau, D.; Pichler, P.; Hémeryck, Anne; Cristiano, Fuccio
Opublikowane w: Solid-State Electronics, Numer 200, 2023, Strona(/y) 108521, ISSN 0038-1101
Wydawca: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2022.108521

IRA: A Shape Matching Approach for Recognition and Comparison of Generic Atomic Patterns (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: M. Gunde, N. Salles, A. Hémeryck, L. Martin-Samos
Opublikowane w: J. Chem. Inf. Model., Numer 61(11), 2021, Strona(/y) 5446–5457, ISSN 1549-960X
Wydawca: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.jcim.1c00567

Study of recrystallization and activation processes in thin and highly doped silicon-on-insulator layers by nanosecond laser thermal annealing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: N. Chery, M. Zhang, R. Monflier, N. Mallet, G. Seine, V. Paillard, J. M. Poumirol, G. Larrieu, A. S. Royet, S. Kerdilès, P. Acosta-Alba, M. Perego, C. Bonafos, F. Cristiano
Opublikowane w: J. Appl. Phys., Numer 131, 2022, Strona(/y) 065301, ISSN 0021-8979
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0073827

Conference proceedings (11)
Implant heating contribution to amorphous layer formation: a KMC approach (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: P.L. Julliard, P. Dumas, F. Monsieur, F. Hilario, D. Rideau, A. Hemeryck, F. Cristiano
Opublikowane w: 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2020, Strona(/y) 43-46, ISBN 978-4-86348-763-5
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/sispad49475.2020.9241608

Advanced simulations on laser annealing: explosive crystallization and phonon transport corrections (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Alberto Sciuto, Ioannis Deretzis, Giuseppe Fisicaro, Salvatore F. Lombardo, Antonino La Magna, Maria Grazia Grimaldi, Karim Huet, Bobby Lespinasse, Armand Verstraete, Benoit Curvers, Igor Bejenari, Alexander Burenkov, Peter Pichler
Opublikowane w: 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2020, Strona(/y) 71-74, ISBN 978-4-86348-763-5
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/sispad49475.2020.9241660

Molecular Dynamics Simulations Supporting the Development of a Continuum Model of Heat Transport in Nanowires (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: I. Bejenari, A. Burenkov, P. Pichler, I. Deretzis, A. Sciuto, A. La Magna
Opublikowane w: Proceedings of the 27th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC 2021), 2021, Strona(/y) 194-199, ISBN 9781665418973
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/therminic52472.2021.9626512

Clusters of Defects as a Possible Origin of Random Telegraph Signal in Imager Devices: a DFT based Study (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Antoine Jay; Anne Hémeryck; Filadelfo Cristiano; Denis Rideau; P.L. Julliard; Vincent Goiffon; A. LeRoch; Nicolas Richard; L. Martin Samos; S. de Gironcoli
Opublikowane w: 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2021, Strona(/y) 128-132, ISBN 9781665406864
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/sispad54002.2021.9592553

CV Stretch-Out Correction after Bias Temperature Stress: Work-Function Dependence of Donor-/Acceptor-Like Traps, Fixed Charges, and Fast States (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: T. Grasser, B. O'Sullivan, B. Kaczer, J. Franco, B. Stampfer, M. Waltl
Opublikowane w: 2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2021, Strona(/y) 1-6, ISBN 978-1-7281-6893-7
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/irps46558.2021.9405184

Machine Learning Prediction of Defect Formation Energies in a-SiO 2 (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Diego Milardovich, Markus Jech, Dominic Waldhoer, Michael Waltl, Tibor Grasser
Opublikowane w: 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2020, Strona(/y) 339-342, ISBN 978-4-86348-763-5
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/sispad49475.2020.9241609

Polarons as a universal source of leakage currents in amorphous oxides: a multiscale modeling approach (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: D. Waldhoer, C. Schleich, A.-M. El-Sayed, T. Grasser
Opublikowane w: Proc. SPIE, Numer 12422, 2023, Strona(/y) 1242203, ISSN 0277-786X
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2659249

Developing a Neural Network potential to investigate interface phenomena in solid-phase epitaxy (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Ruggero Lot; Layla Martin-Samos; Stefano de Gironcoli; Anne Hemeryck
Opublikowane w: 16th IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (IEEE NMDC 2021), 2021, Strona(/y) 82-86, ISBN 9781665446532
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/nmdc50713.2021.9677541

Molecular Dynamics Modeling of the Radial Heat Transfer from Silicon Nanowires (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Igor Bejenari; Alexander Burenkov; Peter Pichler; Ioannis Deretzis; Antonino La Magna
Opublikowane w: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2020), Numer 2, 2020, Strona(/y) 67-70
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/sispad49475.2020.9241646

Kinetic Monte Carlo for Process Simulation: First Principles Calibrated Parameters for BO 2 (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Pierre-Louis Julliard; Antoine Jay; Miha Gunde; Nicolas Salles; Frederic Monsieur; Nicolas Guitard; Thomas Cabout; Sylvain Joblot; Layla Martin-Samos; Denis Rideau; Fuccio Cristiano; Anne Hémeryck
Opublikowane w: 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2021, Strona(/y) 219-223, ISBN 9781665406864
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/sispad54002.2021.9592580

Advanced Contacts on 3D Nanostructured Channels for Vertical Transport Gate-all-around Transistors (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: G. Larrieu, J. Müller, S. Pelloquin, A. Kumar, K. Moustakas, P. Michałowski, A. Lecestre
Opublikowane w: 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2023
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/iwjt59028.2023.10175172

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników

Udostępnij tę stronę Udostępnij tę stronę w mediach społecznościowych

Pobierz Pobierz zawartość strony

Ostatnia aktualizacja: 3 Czerwca 2024

Moja broszura

Permalink: https://cordis.europa.eu/project/id/871813/results/pl

European Union, 2025

Moja broszura 0 0