Integration of processes and moDules for the 2 nm node meeting Power Performance Area and Cost requirements

Informacje na temat projektu

ID2PPAC

Identyfikator umowy o grant: 101007254

DOI 10.3030/101007254

Data podpisania przez KE 12 Maja 2021

Data rozpoczęcia 1 Czerwca 2021

Data zakończenia 31 Grudnia 2024

Finansowanie w ramach

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)

Koszt całkowity € 107 274 292,38

Wkład UE € 24 842 225,23

Koordynowany przez

ASML NETHERLANDS B.V.
Netherlands

Publikacje

Conference proceedings (6)

High NA EUV: progress update and mask impact

Autorzy: Jan van Schoot
Opublikowane w: Photomask Japan, Numer 2023, 2023
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.3012436

High NA EUV enabling cost efficient scaling for N+1 technology nodes

Autorzy: Greet Storms, Sjoerd Lok, Rob van Ballegoij, Jan van Schoot, Rudy Peeters, Diederik de Bruin, Kars Troost, Teun van Gogh
Opublikowane w: SPIE Advanced Lithography + Patterning, 2022, San Jose, California, United States, 2022
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2617240

High NA EUV: development towards introduction at the customer

Autorzy: Rudy Peeters
Opublikowane w: SPIE Advanced Lithography + Patterning, Numer 23 April 2023, 2023
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2658381

High-NA EUVL exposure tool: program progress and mask interaction

Autorzy: Jan van Schoot
Opublikowane w: Photomask Japan 2022, 2022, Online Only, 2022
Wydawca: SPIE
DOI: 10.1117/12.2656140

Enabling the next step for on-product performance with High NA EUV system

Autorzy: Kaustuve Bhattacharyya, Diederik de Bruin, Rudy Peeters, Jara Garcia Santaclara, Herman Heijmerikx, Rob van Ballegoij, Eelco van Setten, Jan van Schoot, Sjoerd Lok, Greet Storms, Peter Vanoppen
Opublikowane w: EUVL Conference 2023, 2023
Wydawca: SPIE

High NA EUV towards introduction at the customer

Autorzy: Jara Garcia Santaclara
Opublikowane w: SPIE Photomask Technology + EUV Lithography, 2023
Wydawca: SPIE

Other (5)

Mask3D effects in EUV lithography and their impact on resolution enhancements

Autorzy: A. Erdmann
Opublikowane w: Keynote Talk EUVL Symposium, 2023
Wydawca: EUVL Symposium

The challenges of heating a sample in vacuum

Autorzy: Molkenboer, F.T. Kerkhof, P.J. Burema, A. Haasnoot, H. Velthuis, J.F.M. Hooftman, T. Kerkhof, P.J. Lensen, H.A
Opublikowane w: 2022
Wydawca: IVC22, 22nd International Vacuum Congress (https://ivc22.org/)

Modeling of multilayer degradation and impact on lithographic imaging metrics

Autorzy: H. Mesilhy, P. Evanschitzky, A. Erdmann
Opublikowane w: Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, 2023
Wydawca: Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop

Imaging performance of low-n absorbers at the optical resolution limits of high NA EUV systems

Autorzy: A. Erdmann, H. Mesilhy, P. Evanschitzky, G. Bottiglieri, T. Brunner, E. van Setten, C. van Lare, M- van de Kerkhof
Opublikowane w: Photomask Japan, 2023
Wydawca: Photomask Japan

Pathfinding the perfect EUV mask: Mask imperfections and its impact on the imaging

Autorzy: H. Mesilhy, Z. Belete, P. Evanschitzky, A. Erdmann
Opublikowane w: EMLC Conference, 2023
Wydawca: EMLC Conference